晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體大廠低調(diào)進(jìn)行18寸晶圓計劃
- 英特爾(Intel)的發(fā)言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經(jīng)低調(diào)動土。 據(jù)了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產(chǎn)18寸晶圓IC的研發(fā)晶圓廠;該公司在2012年12月就透露正準(zhǔn)備擴充D1X廠區(qū)，以「容納新的制造技術(shù)」，但該訊息僅低調(diào)地在美國奧勒岡州當(dāng)?shù)孛襟w曝光，并沒有公布在公司官網(wǎng)。 英特爾D1X廠的第一期工程預(yù)期會是該公司第一條以12寸晶圓生產(chǎn)14奈米 FinFET 晶片的生產(chǎn)線;而
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應(yīng)用材料公司發(fā)布2013財年第三季度財務(wù)報告
- 非GAAP每股盈余為18美分，處于財測中位水平; GAAP每股盈余為14美分 ? 移動設(shè)備和大屏幕電視需求旺盛，帶動半導(dǎo)體和顯示設(shè)備銷售增長 ? 研發(fā)投入增加，推動精密材料工程領(lǐng)域的盈利性增長 2013年8月16日，加州圣克拉拉——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司公布了截止于2013年7月28日的2013財年第三季度財務(wù)報告。 本季度，應(yīng)用材料公司的訂單額為20億美元，較第二季度減少12%，主要由于晶圓代工業(yè)務(wù)的訂
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臺積電追加573億 擴先進(jìn)制程
- 晶圓龍頭臺積電13日董事會通過573.65億元資本支出，連同上次核準(zhǔn)金額，合計為2033.65億元，約占臺積電全年資本支出上限100億美元的68%，顯示臺積電加速先進(jìn)制程腳步。 臺積電將今年資本支出上修至95至100億美元(約新臺幣2990億)，只少許落后英特爾的110億美元，是臺灣投資計畫最大的電子大廠。 設(shè)備廠商透露，臺積電加緊20納米及16納米先進(jìn)制程量產(chǎn)及試產(chǎn)時程，添購所需設(shè)備，推估今年臺積電全年資本支出，絕對會在上限100億美元，而且明年也可能與今年相近。 設(shè)備商表示，臺積
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搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位
- 三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸，并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率，讓成本盡快達(dá)到市場甜蜜點。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強調(diào)，3DIC材料占整體制程成本三成以上，足見其對終端晶片價格的影響性。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示，高昂成本向來是3DIC
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搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位
- 三維晶片(3D IC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3D IC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突破3D IC生產(chǎn)瓶頸，并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率，讓成本盡快達(dá)到市場甜蜜點。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強調(diào)，3D IC材料占整體制程成本三成以上，足見其對終端晶片價格的影響性。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示，高昂成本向來
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GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單
- 高通在移動設(shè)備領(lǐng)域的處理器工藝普遍已經(jīng)進(jìn)入到28nm階段，而且此前均由臺積電代工生產(chǎn);受制于臺積電產(chǎn)能的影響以及價格因素，有消息稱高通將會在9月份起將五分之一的28nm晶圓訂單轉(zhuǎn)交給28nm工藝同樣已經(jīng)成熟的GlobalFoundries。 GlobalFoundries收獲高通28nm晶圓訂單 此前GF長期因為工藝進(jìn)展緩慢而備受批評，而如今GF的28nm生產(chǎn)線看上去已經(jīng)完全成熟，因此勢頭良好的高通投來大筆訂單。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GF之所以能夠吸引高通的青睞，主要原因應(yīng)該是價格更具優(yōu)勢，比如說
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Intel威武！全球第一座450毫米晶圓廠動工
- Intel近日確認(rèn)，位于美國俄勒岡州的Fab 1DX二期工程已經(jīng)破土動工，這也是全球第一座將會用來生產(chǎn)450毫米大尺寸晶圓的工廠(目前主流300毫米)。 Intel發(fā)言人Chuck Mulloy對媒體透露說：“D1X二期工程的建設(shè)已經(jīng)開始?！? Intel今年初驕傲地展示了全球第一塊450毫米晶圓，同時宣布將在今年內(nèi)投資20億美元興建新工廠，不過當(dāng)時給出的時間表只是模糊的今年晚些時候。看來雖然大環(huán)境情況一般，Intel前進(jìn)的步伐卻依然鏗鏘有力。 Chuck Mu
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半導(dǎo)體業(yè)難現(xiàn)高增長 價格將成競爭利器
- 2013年時間已然過半，全球半導(dǎo)體市場發(fā)展態(tài)勢初露端倪。據(jù)權(quán)威機構(gòu)挪威奧斯陸的卡內(nèi)基集團分析師Bruce Diesen的最新數(shù)據(jù)顯示，2013年全球半導(dǎo)體增長1%，與2012年下降2%、2011年持平以及2010年大漲32%相比，反映又一個下降周期到來。但業(yè)界都認(rèn)為2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能會有較為明顯的增長。 增長動能尚在積累 2013年半導(dǎo)體業(yè)向上增長的動能尚在積累之中，估計2014年才會有較為明顯的增長。然而在未跨入EUV與450mm硅片時代之前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能很難再有近10%的增長。
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半導(dǎo)體制造商關(guān)注300mm模擬晶圓廠發(fā)展
- 2009年，TI建造了行業(yè)里第一個300mm的用于模擬芯片的晶圓廠，此舉改變了半導(dǎo)體行業(yè)的局面。 到那時為止，模擬芯片的制造使用的是200mm以及更小尺寸的晶圓。在300mm晶圓廠里，TI可以獲得比競爭對手更有利的die-size和成本優(yōu)勢。理論上，一塊300mm晶圓提供的芯片數(shù)比200mm的晶圓多2.5倍，從而使TI降低整體的制造成本。 在過去的一年里，英飛凌和意法半導(dǎo)體已經(jīng)開始加緊籌劃各自的用于模擬芯片的300mm晶圓廠。并且尋求填補缺少晶圓廠和輕晶圓客戶空隙的方法，GlobalFou
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臺積電 紐約網(wǎng)羅半導(dǎo)體人才
- 臺積電28日在紐約州魚溪市(Fishkill)進(jìn)行第二天的美東征才活動。臺積電著眼于此區(qū)域豐沛的半導(dǎo)體人才，期待志同道合的菁英加入。 臺積電北美人力資源處資深處長曾春良說，「臺積電是一家龍頭企業(yè)，每個人都想來龍頭企業(yè)上班。」這是臺積電征才的最大優(yōu)勢。 臺積電全球員工人數(shù)已超過3萬7000人，2012年擁有足以生產(chǎn)相當(dāng)于1509萬片八寸晶圓的產(chǎn)能。其中，包括三座先進(jìn)的12寸晶圓廠、四座8寸晶圓廠、一座6寸晶圓廠，是全球規(guī)模最大的專業(yè)積體電路制造服務(wù)公司。 曾春良指出，「在臺積電上班，你
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晶圓廠的FinFET混搭制程競賽
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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臺積電：一個晶圓廠的成功
- 當(dāng)我在1987年創(chuàng)立臺積電的時候，沒有人會預(yù)料到我們未來會有怎么樣的發(fā)展?！睆堉抑\回憶說。在當(dāng)時，半導(dǎo)體公司只設(shè)計和制造芯片。臺積電是第一個純粹的“晶圓代工廠”——剛開始的定位就是一家沒有芯片設(shè)計師的晶圓廠。其他廠商的顧慮成就了臺積電的發(fā)展。在張忠謀以82歲高齡擔(dān)任董事長并第二次出任公司CEO的時候說到，這樣的發(fā)展方式使的臺積電在開始的八年內(nèi)沒有任何競爭。 現(xiàn)在，我們的理念逐漸成為一種趨勢。去年，全球一半的邏輯芯片是由臺積電生產(chǎn)的(相對
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縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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