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晶圓
晶圓 文章 進(jìn)入晶圓技術(shù)社區(qū)
強(qiáng)震：晶圓、面板廠(chǎng)影響有限
- 中臺(tái)灣地牛翻身，中科及南科園區(qū)因?yàn)殡x震央較近，震度介于4～5級(jí)間，因此在兩地設(shè)廠(chǎng)的臺(tái)積電、聯(lián)電、友達(dá)、群創(chuàng)、瑞晶、華邦電等業(yè)者均受波及，而竹科同樣受到地震影響，晶圓雙雄及面板雙虎在竹科廠(chǎng)房也受影響。不過(guò)，業(yè)者均表示，生產(chǎn)線(xiàn)只有部份機(jī)臺(tái)死機(jī)或少量破片，影響十分有限;而竹科及南科管理局則表示，供水供電均正常，并未接獲廠(chǎng)商任何重大損害通報(bào)。 根據(jù)中央氣象局資料，昨日下午13時(shí)43分發(fā)生里氏規(guī)模6.3級(jí)地震，震央在南投縣政府東方32公里，其中，新竹市震度3級(jí)，臺(tái)中市震度4級(jí)，臺(tái)南市震度達(dá)5級(jí)，最接近震央
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今年世界半導(dǎo)體投資復(fù)蘇微增
- 半導(dǎo)體投資曾是引領(lǐng)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的因素之一，每年發(fā)表的投資計(jì)劃，也是有關(guān)制造設(shè)備和材料廠(chǎng)商股價(jià)上下變動(dòng)的風(fēng)向標(biāo)，但現(xiàn)在的影響已很有限了?；貞洰?dāng)年半導(dǎo)體市場(chǎng)高成長(zhǎng)之期，各公司積極投資，其投資額約可占到整體半導(dǎo)體產(chǎn)值的20～25%，不過(guò)近年因市場(chǎng)遍吹淡風(fēng)，投資比重也已下行到了15%左右的水平，5年來(lái)常維持在五六百億美元。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶圓 201306
聯(lián)電打造新加坡12寸廠(chǎng)成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
- 晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠(chǎng)Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元，將會(huì)與諸如微電子研究院等新加坡本地研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行研發(fā)合作。 聯(lián)電將已開(kāi)發(fā)之技術(shù)包含背照式影像感測(cè)器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體、高壓應(yīng)用產(chǎn)品，以及直通矽晶穿孔連結(jié)等，應(yīng)用于車(chē)用、行動(dòng)、智慧型手機(jī)與平板電腦等日益龐大的產(chǎn)品市場(chǎng)，并藉此特殊技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)提供受益于日漸增加之日常
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散熱技術(shù)突破 無(wú)封裝LED將現(xiàn)身
- 除了從系統(tǒng)角度強(qiáng)化散熱性能外，隨著LED照明的應(yīng)用普及，對(duì)于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛，LED基板材料及技術(shù)在近年的開(kāi)發(fā)也有所進(jìn)展，目前最新的趨勢(shì)是對(duì)于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)。基本上，由于藍(lán)寶石基板面臨技術(shù)瓶頸，LED廠(chǎng)商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數(shù)，不僅能強(qiáng)化LED發(fā)光強(qiáng)度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現(xiàn)，因此成為了業(yè)界爭(zhēng)相發(fā)展的新技術(shù)。 例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開(kāi)發(fā)出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十
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第一季全球半導(dǎo)體廠(chǎng)商排行榜 日本業(yè)者落漆
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示，有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠(chǎng)商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五，瑞薩(Renesas)因銷(xiāo)售額下滑20%而跌出前十名，索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷(xiāo)售額較去年同期下滑31%，富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷(xiāo)售額下滑26%。 不過(guò)IC Insights指出，日本半導(dǎo)體廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額數(shù)字都是由日?qǐng)A換算成美元;在2012年第一季時(shí)，美元兌日?qǐng)A匯率為1美
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠(chǎng)資本支出創(chuàng)新高
- 為爭(zhēng)搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠(chǎng)，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí)，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠(chǎng)也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)支出向上飆升。 2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強(qiáng)勁反彈，一掃去年下滑的陰霾。其中，尤以晶圓代工廠(chǎng)擴(kuò)大設(shè)備資本支出(CAPEX)，加速推動(dòng)先進(jìn)制程，為拉升半導(dǎo)體產(chǎn)值挹注最大貢獻(xiàn)。 由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對(duì)去年樂(lè)觀(guān)，且行動(dòng)裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28、20奈米(nm)先進(jìn)制程的需求涌現(xiàn)
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景況不佳誰(shuí)會(huì)想買(mǎi)日本晶圓廠(chǎng)？
- 景況不佳的日本半導(dǎo)體廠(chǎng)商們終于覺(jué)醒并開(kāi)始面對(duì)一個(gè)現(xiàn)實(shí)──擁抱「輕晶圓廠(chǎng)(fab-lite)」策略將會(huì)是他們存活的最佳希望;但很大的問(wèn)題是：誰(shuí)會(huì)想在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“清倉(cāng)大拍賣(mài)”中收購(gòu)一座舊晶圓廠(chǎng)? 答案恐怕是沒(méi)有人。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)FutureHorizons董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)MalcolmPenn話(huà)就說(shuō)得很直，他表示那些日本晶圓廠(chǎng)「都是采用舊制程」，而且誰(shuí)要是買(mǎi)下那些晶圓廠(chǎng)：「就會(huì)面臨管理以及物流(logistic)的夢(mèng)靨?！? 不過(guò)換個(gè)角度看，因?yàn)槟愕馁€注是押在沒(méi)人看好的
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臺(tái)積電砸逾15億美元搶人才與制程開(kāi)發(fā)
- 臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日在新竹舉辦技術(shù)論壇;并釋出訊息，隨董事長(zhǎng)張忠謀法說(shuō)時(shí)宣布今年資本支出為95至100億美元，投入15億美元(折現(xiàn)約新臺(tái)幣441.06億元)用于研發(fā)人員與將投入邏輯先進(jìn)制程及成熟制程開(kāi)發(fā)。該公司研發(fā)大軍目標(biāo)今年增加至4200人。 臺(tái)積電4月18日法說(shuō)時(shí)已由董事長(zhǎng)張忠謀正式調(diào)高今年資本支出為95至100億美元，當(dāng)中，研發(fā)投資金額將達(dá)15億美元，年增逾1成;該公司預(yù)計(jì)投入研發(fā)的科學(xué)家和工程師也將隨之增加至4200人。 同時(shí)，臺(tái)積電隨客戶(hù)需求持續(xù)提高
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英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程
- 英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開(kāi)發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及採(cǎi)用 40nm 製程的車(chē)用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)，初期于新加坡，后續(xù)則將轉(zhuǎn)移到位于德國(guó)德勒斯登的廠(chǎng)房。 英飛凌董事會(huì)成員 Arunjai Mittal 表示：「採(cǎi)用 40nm 製程結(jié)構(gòu)的
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Gartner：去年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出減少16%
- 根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布的最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2012年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出總額為378億美元，較2011年減少16.1%。晶圓級(jí)制造受到微影(lithography)與沈積(deposition)領(lǐng)域疲弱的影響，在2012年表現(xiàn)低于整體市場(chǎng)。在主要領(lǐng)域中，亦即主要受到邏輯制造影響的領(lǐng)域，以28/20奈米制程和良率改善的表現(xiàn)較佳。 Gartner副總裁Klaus-DieterRinnen表示：「DRAM長(zhǎng)期供過(guò)于求以及轉(zhuǎn)進(jìn)NAND之后又造成供過(guò)于求，導(dǎo)致產(chǎn)能需求下降。記憶體制造相關(guān)的
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德州儀器向中國(guó)青少年發(fā)展基金會(huì)捐款人民幣100萬(wàn)元
- 日前，全球領(lǐng)先的模擬與嵌入式半導(dǎo)體廠(chǎng)商美國(guó)德州儀器公司(TI)宣布向中國(guó)青少年發(fā)展基金會(huì)(中國(guó)青基會(huì)) 捐款100萬(wàn)元人民幣，用于支持“希望工程緊急救災(zāi)助學(xué)行動(dòng)”，幫助遭受四川雅安地震影響的學(xué)校進(jìn)行災(zāi)后重建工作。TI也將積極支持中國(guó)青基會(huì)開(kāi)展捐助項(xiàng)目的具體執(zhí)行，并將號(hào)召員工作為志愿者參與相應(yīng)的災(zāi)后重建公益活動(dòng)。
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超越臺(tái)積電 格羅方德稱(chēng)2015推出10納米晶圓
- 晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。 格羅方德2009年由美商超微獨(dú)立而出，2010年并購(gòu)前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨(dú)立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠(chǎng)，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計(jì)能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶(hù)經(jīng)驗(yàn)，ICInsights統(tǒng)計(jì)，2012年公司躍進(jìn)晶
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中芯國(guó)際第一季凈利4060萬(wàn)美元 同比扭虧
- 中芯國(guó)際公布了截至3月31日的2013財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，中芯國(guó)際第一季度總銷(xiāo)售額為5.016億美元，比上年同期增長(zhǎng)50.8%;凈利潤(rùn)為4060萬(wàn)美元，上年同期凈虧損4280萬(wàn)美元。 第一季度業(yè)績(jī)分析： 第一季度，中芯國(guó)際銷(xiāo)售額為5.016億美元，比上一季度的4.859億美元增長(zhǎng)3.2%，主要是由于40/45納米晶圓付運(yùn)量增加所致;銷(xiāo)售成本為3.995億美元，比上一季度的3.891億美元增長(zhǎng)2.7%，主要是由于晶圓的付運(yùn)量增加所致。 第一季度，中芯國(guó)際毛利潤(rùn)為1.021億美元
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 晶圓
450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
- 全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō)，他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時(shí)，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也進(jìn)展順利，將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。 ASML在一份聲明中稱(chēng)：“在客戶(hù)合作投資項(xiàng)目的支持下，我們已經(jīng)完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構(gòu)的概念設(shè)計(jì)，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產(chǎn)，當(dāng)然如果整個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)得及的話(huà)?！? Int
- 關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠(chǎng)再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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