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          臺(tái)灣專家稱臺(tái)芯片產(chǎn)業(yè)至少領(lǐng)先大陸至2020年

          •   11月27日消息,據(jù)香港媒體報(bào)道,臺(tái)灣地區(qū)工研院工業(yè)技術(shù)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與信息服務(wù)中心(IEK)主任杜紫宸昨日表示,盡管中國(guó)大陸有大規(guī)模的資金及人才儲(chǔ)備,但臺(tái)灣的芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先中國(guó)的優(yōu)勢(shì)將至少維持至2020年。   杜紫宸說(shuō),芯片行業(yè)需要擁有高門檻的經(jīng)驗(yàn)作為后盾,這是中國(guó)大陸短期之內(nèi)難以追上臺(tái)灣地區(qū)的主要原因。他同時(shí)還認(rèn)為,中國(guó)最優(yōu)秀的芯片技術(shù)人才處于待遇的考慮,會(huì)優(yōu)先考慮在中國(guó)投資的其他國(guó)家或地區(qū)的半導(dǎo)體公司,而不是本土的公司,這也是不利用中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的原因。   之前,臺(tái)灣地區(qū)政府一直嚴(yán)格管制臺(tái)灣科
          • 關(guān)鍵字: 芯片產(chǎn)業(yè)  臺(tái)灣  IC  制造制程  

          10月全球芯片銷售額下降 但初始晶圓將增長(zhǎng)

          •   據(jù)Terra Securities ASA的分析師Bruce Diesen,10月全球芯片銷售額的三個(gè)月平均值從9月時(shí)的226億美元上升到228億美元。但是,10月未經(jīng)調(diào)整的銷售額同比增長(zhǎng)率比9月下降2.5個(gè)百分點(diǎn)。   Diesen表示,他預(yù)計(jì)2007年全球芯片銷售額增長(zhǎng)3%,但他把2008年銷售額增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)從9%降到了8%?!皩?duì)于10月份,我們認(rèn)為初始晶圓比去年同期增長(zhǎng)了14%。據(jù)Sicas,第三季度初始晶圓強(qiáng)勁增長(zhǎng)了17.6%,超過(guò)了我們預(yù)期的15%。這對(duì)于MEMC、Wacker、Hemloc
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  芯片  銷售額  晶圓  IC  制造制程  

          超寬帶窄脈沖發(fā)射芯片及應(yīng)用系統(tǒng)電路實(shí)現(xiàn)

          •   摘 要:本文給出了一個(gè)基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片實(shí)現(xiàn)的超寬帶窄脈沖發(fā)射電路及測(cè)試結(jié)果,通過(guò)超低功耗單片機(jī)MSP430F123控制超寬帶脈沖發(fā)射機(jī)芯片,可實(shí)現(xiàn)高速率數(shù)據(jù)的無(wú)線發(fā)射,所采用的超寬帶發(fā)射機(jī)芯片基于0.18mm CMOS工藝設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),能夠以0~800Mpps的脈沖重復(fù)頻率產(chǎn)生寬度約為500ps的超寬帶窄脈沖信號(hào),經(jīng)過(guò)脈沖整形電路后,信號(hào)的頻譜在500MHz~1.5GHz之間,發(fā)射功率譜密度低于-41.3dBm/MHz。   關(guān)鍵詞:超寬帶;窄脈沖;射頻標(biāo)簽;無(wú)線通信芯片   前言   超寬帶
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  超寬帶  窄脈沖  射頻標(biāo)簽  IC  制造制程  

          第三季度初制晶圓產(chǎn)量大增 產(chǎn)能利用率上升

          •   據(jù)半國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(Sicas)組織,第三季度晶圓代工廠商初制晶圓產(chǎn)量分別比第二季度和2006年同期增長(zhǎng)13.3%和19.1%。   晶圓代工廠商的產(chǎn)能迅速上升,比第二季度提高11.4%,達(dá)到每周33.5萬(wàn)個(gè)8英寸等效晶圓,但需求的增長(zhǎng)速度更快。初始晶圓實(shí)際產(chǎn)量比第二季度增長(zhǎng)13.3%,達(dá)到每周31.5萬(wàn)個(gè)。   Sicas表示,第三季度晶圓代工廠商的產(chǎn)能利用率上升到94.2%,高于第二季度的92.7%和2006年第三季度的91.5%。晶圓代工廠商和IDM廠商生產(chǎn)的總體IC初始晶圓,第三季度比
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  晶圓  IC  半導(dǎo)體  MCU和嵌入式微處理器  

          汽車電子造就中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)新熱點(diǎn)

          •   “中國(guó)汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展及技術(shù)研討會(huì)”于11月21日在廣州成功舉辦。本次論壇對(duì)中國(guó)汽車電子市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)政策以及未來(lái)汽車電子市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深刻的分析與探討。   本屆研討會(huì)正值“2007年第五屆中國(guó)(廣州)國(guó)際汽車展覽會(huì)”期間,吸引了一大批業(yè)內(nèi)廠商的參與,一些有代表性的廠商還在論壇上做了精彩發(fā)言。例如,賽迪顧問(wèn)作為國(guó)內(nèi)IT領(lǐng)域權(quán)威咨詢機(jī)構(gòu)的代表;北汽福田作為中國(guó)本土汽車產(chǎn)業(yè)的代表;瑞薩、英特爾、富士通、英飛凌、NXP、TI作為全球知名的汽車電子IC和解決方案供應(yīng)商的代表;偉世通作為全
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  IC  富士通  汽車電子  

          Silicon Labs攜手益登科技舉辦嵌入式USB設(shè)計(jì)在線座談會(huì)

          •   益登科技宣布將與高效能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories于12月6日共同舉辦“輕松駕馭嵌入式USB設(shè)計(jì)—USB完全解決方案全新登場(chǎng)”在線座談會(huì)。本場(chǎng)座談會(huì)主要探討如何將USB接口加以簡(jiǎn)化,以便讓工程師能夠?qū)W⒃谇度胧较到y(tǒng)的設(shè)計(jì)工作上。通過(guò)結(jié)合大范圍的具備USB功能的微控制器,以及合適的硬件與軟件開(kāi)發(fā)工具,搭配參考設(shè)計(jì)與軟件模板,Silicon Labs公司為工程師提供在進(jìn)行開(kāi)發(fā)快速設(shè)計(jì)創(chuàng)新、高度整合產(chǎn)品時(shí)所需的一切。   與RS-232不同,許多嵌入式系統(tǒng)工程師實(shí)行U
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  IC  益登科技  USB  消費(fèi)電子  

          ADDtek推出僅有兩支接腳的LED保護(hù)IC

          •   在LED照明和LED背光的應(yīng)用上,常需要多個(gè)LED串聯(lián)以簡(jiǎn)化電路和降低成本。但是任何一個(gè)LED損壞而開(kāi)路時(shí),會(huì)造成整個(gè)LED串無(wú)法正常工作,對(duì)產(chǎn)品整體性能有嚴(yán)重的影響。   專業(yè)模擬IC設(shè)計(jì)公司ADDtek (廣鵬科技)運(yùn)用獲得美國(guó)專利的技術(shù),推出全世界腳數(shù)最少的IC——只有兩支接腳的LED保護(hù)IC——AMC7169及A716。不只解決LED串聯(lián)的問(wèn)題,還能保護(hù)LED免受過(guò)大的電流或者逆向電流的損害。   ADDtek的LED保護(hù)IC并聯(lián)接在每個(gè)LED的兩端,在LED正常工作時(shí)保護(hù)IC進(jìn)入監(jiān)控模式
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  ADDtek  LED  IC  模擬IC  

          潛在經(jīng)濟(jì)衰退發(fā)出警報(bào),08年IC產(chǎn)業(yè)將會(huì)進(jìn)入“冰河期”?

          •   市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner的分析師Klaus Rinnen警告稱,潛在的經(jīng)濟(jì)衰退可能給IC產(chǎn)業(yè)造成麻煩。Rinnen在一份快報(bào)中表示:“美國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)學(xué)家和金融顧問(wèn)目前警告說(shuō),次優(yōu)抵押貸款危機(jī)和信貸緊縮可能拖累美國(guó)經(jīng)濟(jì)走向衰退。”   他指出:“由于這種可能性日益上升,我們要問(wèn)一個(gè)假設(shè)性問(wèn)題:如果美國(guó)經(jīng)濟(jì)在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)陷入衰退,會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成什么沖擊?我們認(rèn)為,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能在2008年進(jìn)入需求引領(lǐng)的低迷時(shí)期?!?   “如果美國(guó)經(jīng)濟(jì)在2008年發(fā)生衰退,則半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能經(jīng)歷需求驅(qū)動(dòng)的下降周期,
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IC  經(jīng)濟(jì)衰退  模擬IC  

          ROHM開(kāi)發(fā)出具有溫度切換功能的恒溫輸出IC

          •   ROHM最近開(kāi)發(fā)出恒溫輸出溫度傳感器IC系列,其作用是用于以PC和數(shù)字家用電器為首的電氣產(chǎn)品的電路內(nèi)進(jìn)行溫度檢測(cè)。這些產(chǎn)品系列是具有檢測(cè)溫度切換功能的IC新產(chǎn)品,在業(yè)界前所未有。   這次開(kāi)發(fā)出的兩個(gè)新產(chǎn)品系列,一個(gè)是檢測(cè)中心溫度及其上+5℃、其下-5℃共3級(jí)可切換的『BDE0G系列』(漏極開(kāi)路輸出、低電平有效);另一個(gè)是檢測(cè)中心溫度及其上4級(jí)(每增加25℃為一級(jí))、其下4級(jí)(每降低25℃為一級(jí)),共9級(jí)可切換的『BDF0G系列』(漏極開(kāi)路輸出、低電平有效)。   最近,電子信息設(shè)備與家用電器產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  ROHM  IC  溫度切換  模擬IC  

          FARADAY選擇CADENCE VOLTAGESTORM用于高級(jí)65納米低功耗簽收

          •   Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司與領(lǐng)先的ASIC和硅智產(chǎn)(SIP)無(wú)晶圓IC設(shè)計(jì)公司智原科技宣布智原已經(jīng)采用Cadence® VoltageStorm® 功率分析技術(shù)進(jìn)行低功耗簽收,并支持智原的尖端低功耗設(shè)計(jì)。智原使用VoltageStorm的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功率分析檢驗(yàn)其高級(jí)低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),包括功率門控、去耦合電容優(yōu)化和多電源多電壓(MSMV)規(guī)劃。   智原有一套現(xiàn)成的功率分析解決方案,目前已經(jīng)成功發(fā)展到90納米級(jí)別。不過(guò)由于意識(shí)到了65納米及以下級(jí)別低功耗簽收帶來(lái)的新技術(shù)挑戰(zhàn),智原對(duì)目前市
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          貸款危機(jī)和信貸緊縮持續(xù) IC產(chǎn)業(yè)面臨衰退困擾

          •   市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner的分析師Klaus Rinnen警告稱,潛在的經(jīng)濟(jì)衰退可能給IC產(chǎn)業(yè)造成麻煩。Rinnen在一份快報(bào)中表示:“美國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)學(xué)家和金融顧問(wèn)目前警告說(shuō),次優(yōu)抵押貸款危機(jī)和信貸緊縮可能拖累美國(guó)經(jīng)濟(jì)走向衰退?!?   他指出:“由于這種可能性日益上升,我們要問(wèn)一個(gè)假設(shè)性問(wèn)題:如果美國(guó)經(jīng)濟(jì)在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)陷入衰退,會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成什么沖擊?我們認(rèn)為,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能在2008年進(jìn)入需求引領(lǐng)的低迷時(shí)期?!?   “如果美國(guó)經(jīng)濟(jì)在2008年發(fā)生衰退,則半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能經(jīng)歷需求驅(qū)動(dòng)的下降周期,
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          HOLTEK推出HT1632內(nèi)建顯示內(nèi)存的LED驅(qū)動(dòng)IC

          •   HT1632為內(nèi)建顯示內(nèi)存的LED面板驅(qū)動(dòng)IC,支持驅(qū)動(dòng)32x8點(diǎn)及24x16點(diǎn)之分辨率,若應(yīng)用點(diǎn)數(shù)需更高,HT1632也支持串接擴(kuò)充之功能。適用于健身器材、電子鏢靶、萬(wàn)年歷、訊息顯示及數(shù)字時(shí)鐘等應(yīng)用。   其內(nèi)含顯示內(nèi)存,內(nèi)存的數(shù)據(jù)會(huì)直接對(duì)應(yīng)到顯示畫(huà)面,可增加使用者在編寫(xiě)程序時(shí)的便利性,同時(shí)其傳輸接口同HT1622,對(duì)于已習(xí)慣HT162x LCD系列的使用者,可節(jié)省程序開(kāi)發(fā)時(shí)間。   HT1632的工作電壓為2.4V~5.5V,采用52QFP封裝,具有16階PWM亮度調(diào)節(jié)功能及內(nèi)建256K RC
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          賽靈思65nm產(chǎn)品摘取中國(guó)電子業(yè)界創(chuàng)新大獎(jiǎng)

          •   賽靈思公司(Xilinx, Inc. )日前宣布其創(chuàng)新的65nm技術(shù)獲得了中國(guó)電子行業(yè)權(quán)威專家及電子設(shè)計(jì)社群的一致認(rèn)可, 其業(yè)界唯一投入量產(chǎn)的65nmFPGA產(chǎn)品系列中的Virtex-5 LXT榮膺IDG集團(tuán)下屬權(quán)威電子雜志《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》(EDN China)頒發(fā)的數(shù)字IC與可編程器件類2007年度“最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”, 該獎(jiǎng)項(xiàng)是EDN China年度創(chuàng)新獎(jiǎng)的最高榮譽(yù)。 2007年11月9日,EDN China雜志社在深圳舉辦的創(chuàng)新大會(huì)上授予了賽靈思公司該獎(jiǎng)項(xiàng)。   2007年度EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  賽靈思  FPGA  IC  MCU和嵌入式微處理器  

          第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益

          •   對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過(guò),雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別,各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知,中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國(guó)際有望走出低迷。   第三季度代工需求旺盛   綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào),可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表“全球前
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  中芯國(guó)際  IC  DRAM  模擬IC  

          制程工藝再次革命 看45nm向65nm的大躍進(jìn)

          •   11月8日消息 英特爾在即將到來(lái)的11月16日會(huì)再次兌現(xiàn)自己偶數(shù)年實(shí)現(xiàn)技術(shù)更新的承諾,而今年的這次的發(fā)布會(huì)更為人們所關(guān)注的原因只在于一個(gè)——將摩爾定律推遲10年甚至是15年成為現(xiàn)實(shí)的45nm制程工藝。   在英特爾的眼中,技術(shù)創(chuàng)新已經(jīng)成為了慣性,05年45nm概念的提出到06年出現(xiàn)的晶圓,再到07年即將展現(xiàn)在人們面前的處理器,創(chuàng)新使得英特爾越走越快。不過(guò)這也令業(yè)界人士困惑:不是剛剛開(kāi)始65nm的鋪貨嗎?而采用兩種制程工藝制造的CPU到底又有多少差距呢?   45nm制程工藝簡(jiǎn)介   多年來(lái)Int
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          3d-ic介紹

          3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]

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