3d-ic 文章進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)

小尺寸高功率密度的電源實(shí)現(xiàn)

背景知識復(fù)雜的高功率密度數(shù)字集成電路(IC)，例如圖形處理器單元(GPU)和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)，常見于功能豐富的電子環(huán)境中，包括：u? ?汽車u? ?醫(yī)療u? ?電信u? ?數(shù)據(jù)通信u? ?工業(yè)u? ?通信u? ?游戲設(shè)備u? ?消費(fèi)類音頻/視頻市場滲透率如此之高，全球?qū)Υ箅娏鞯蛪簲?shù)字IC的需求激增也就不足為奇了。當(dāng)前全球市場規(guī)模預(yù)估超過
關(guān)鍵字： GPU IC

業(yè)界最小的LiDAR IC，帶寬提高2倍以上，加速自動駕駛汽車平臺設(shè)計(jì)

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出業(yè)界速度最快、尺寸最小的光探測及測距 (LiDAR) IC，幫助實(shí)現(xiàn)更高速的汽車自動駕駛。與最接近的競爭方案相比，MAX40026高速比較器和MAX40660/MAX40661寬帶互阻放大器可提供2倍以上帶寬，在相同尺寸的單個LiDAR模塊內(nèi)增加32路附加通道，單模塊達(dá)到128個通道 (競爭產(chǎn)品為96路)，從而使高速公路上的自動駕駛行駛速度提高10mph (15km/h)。
關(guān)鍵字： LiDAR IC 自動駕駛 Maxim

Power Integrations的BridgeSwitch無刷直流電機(jī)驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列已擴(kuò)展至400 W

深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司近日宣布BridgeSwitch?集成半橋(IHB)電機(jī)驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列已有新的擴(kuò)展，現(xiàn)在支持最高400W的應(yīng)用。BridgeSwitch IC內(nèi)部集成了兩個性能加強(qiáng)的FREDFET（具有快恢復(fù)外延型二極管的場效應(yīng)晶體管）分別用于半橋電路的上管和下管，且具有無損耗的電流檢測功能，可使無刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用中的逆變器效率達(dá)到99.2%。IHB驅(qū)動器所提供的業(yè)界先進(jìn)的效率性能和分布式散熱方法可省去散熱片，有助于
關(guān)鍵字：驅(qū)動器 IC BLDC

光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)

對于任何名副其實(shí)地從事AR/VR/XR、產(chǎn)品設(shè)計(jì)或仿真工作的工程師而言，光線追蹤是他們應(yīng)該熟悉的一種技術(shù)。因?yàn)樗亲匀S（3D）圖形誕生以來圖形技術(shù)領(lǐng)域最重要的進(jìn)步之一，而且它即將從高深的電影和廣告領(lǐng)域轉(zhuǎn)向移動、可穿戴和汽車等嵌入式領(lǐng)域，作為全新的、更有效的處理光線追蹤的方法進(jìn)入市場。如果你去看任何的三維場景，會發(fā)現(xiàn)其逼真度很大程度上取決于光照。在傳統(tǒng)的圖形渲染（光柵化處理）中，光照貼圖和陰影貼圖是預(yù)先計(jì)算好的，然后應(yīng)用到場景中以模擬場景外觀。然而，雖然可以實(shí)現(xiàn)很美觀的效果，但其始終受限于一個事實(shí)，即這些
關(guān)鍵字：路徑追蹤 3D

走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽(yù)的Foveros 3D封裝技術(shù)

這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨(dú)特的3D堆疊與一種混合計(jì)算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計(jì)的芯片就像一個設(shè)計(jì)成1毫米厚的夾心蛋
關(guān)鍵字： 3D 封裝

Allegro推出定制SOIC16W封裝，非常適合功率密集型混合動力/電動汽車和太陽能等應(yīng)用

運(yùn)動控制和節(jié)能系統(tǒng)電源和傳感解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（以下簡稱Allegro）宣布推出名為“MC”的全新定制SOIC16W封裝，這標(biāo)志著業(yè)界電流傳感技術(shù)在需要高隔離度和低功耗的功率密集型應(yīng)用中的一個飛躍。這種全新封裝具有265μΩ的超低串聯(lián)電阻，比現(xiàn)有SOIC16W解決方案低2.5倍以上，同時提供Allegros最高認(rèn)證的5kV隔離等級。
關(guān)鍵字： Allegro SOIC16W封裝 IC ACS724

德州儀器EMI優(yōu)化集成變壓器技術(shù)將電力傳輸隔離小型化為IC尺寸封裝

德州儀器（TI）近日在北京推出了首款采用新型專有集成變壓器技術(shù)開發(fā)的集成電路（IC）：一種具有業(yè)界更低電磁干擾（EMI）的500mW高效隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器UCC12050。其2.65mm的高度能夠幫助設(shè)計(jì)師減小解決方案的體積（與離散解決方案相比減少了80%，與電源模塊相比減少了60%），效率是同類競爭器件的兩倍。UCC12050專為提高工業(yè)性能而設(shè)計(jì)，其5kVrms增強(qiáng)隔離和1.2kVrms的工作電壓可以防止系統(tǒng)出現(xiàn)高壓峰值（如工業(yè)運(yùn)輸、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和醫(yī)療設(shè)備中）。TI突破性的集成變壓器技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字： IC EMI

手機(jī)廠商大行3D 視覺技術(shù)，屏下指紋識別解鎖或成“覆面系”福音？

自iPhoneX在智能手機(jī)中首次搭載3DSensing以來,其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場規(guī)模將從2016年的13億美元增長至2022年的90億美元,CAGR達(dá)到37.3%,2022年3D成像設(shè)備有望超過10億個。誠然,消費(fèi)者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強(qiáng)個性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗(yàn)效率的表現(xiàn)。圖片來源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
關(guān)鍵字： 3D 視覺技術(shù) 屏下指紋識別

憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢

西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇?；?12 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
關(guān)鍵字：需補(bǔ)數(shù)據(jù) 3D

豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品

行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)數(shù)碼成像解決方案的開發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過正式的商業(yè)交流及技術(shù)評估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開合作。此合作項(xiàng)目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進(jìn)技術(shù)及市場地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導(dǎo)入手機(jī)市場。雙方亦期望能藉此合作基礎(chǔ)，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)
關(guān)鍵字： 3D 傳感技術(shù)

全面賦能，北京首個線上線下一站式聚合產(chǎn)業(yè)服務(wù)平臺正式啟動

2019年11月27日，中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園產(chǎn)業(yè)服務(wù)平臺（IC-PARK ISP）正式啟動，這標(biāo)志著北京首個專注于芯片產(chǎn)業(yè)的服務(wù)平臺成功上線，也代表著中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園構(gòu)建的“一平臺三節(jié)點(diǎn)”產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系正式落地。
關(guān)鍵字： IC PARK 中國芯

高效電源管理IC應(yīng)用于AI產(chǎn)品

據(jù)悉，瑞薩電子株式會社宣布其ISL91301B電源管理IC（PMIC），應(yīng)用于最新Google Coral產(chǎn)品中，包括Mini PCIe加速器、M．2加速器A ＋ E密鑰、M．2加速器B ＋ M密鑰和模塊內(nèi)系統(tǒng)（SoM）。Google Coral可無縫集成至任何規(guī)模的流程中，從而幫助設(shè)計(jì)人員為各個行業(yè)創(chuàng)建多種本地人工智能（AI）解決方案。
關(guān)鍵字：電源 IC AI產(chǎn)品

新東芝存儲不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價比

在近日召開的國際電子設(shè)備會議（IEDM）上，東芝存儲發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時它表示對3D XPoint之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實(shí)對于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗(yàn)，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強(qiáng)的SLC在4K隨機(jī)性能、
關(guān)鍵字：東芝 3D XPoint 傲騰 SSD

采用單個IC從30V至400V輸入產(chǎn)生隔離或非隔離±12 V輸出

電動汽車、大型儲能電池組、家庭自動化、工業(yè)和電信電源都需要將高電壓轉(zhuǎn)換為±12 V，以滿足為放大器、傳感器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和工業(yè)過程控制器供電的雙極性電源軌需求。所有這些系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)之一是構(gòu)建一個緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器，它的工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C，這在汽車和其他高環(huán)境溫度應(yīng)用中尤為重要。線性穩(wěn)壓器已廣為人知，并且通常位列雙極性電源備選方案的首位，但它不適用于上述高輸入電壓、低輸出電壓的應(yīng)用，這主要是由線性穩(wěn)壓器在高降壓比下的散熱所導(dǎo)致。此外，雙極性解決方案至少需要兩個集成電路(IC)：一個
關(guān)鍵字： IC 高壓電轉(zhuǎn)換

邁向AI與IC產(chǎn)業(yè)結(jié)合之路

　　高煥堂?（臺灣VR產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席，廈門VR/AR協(xié)會榮譽(yù)會長兼顧問）　　0 引言　　過去十多年來，大數(shù)據(jù)是推動AI發(fā)展的主力。隨著AI應(yīng)用日愈擴(kuò)大和日趨復(fù)雜，計(jì)算能力成為當(dāng)今推動AI發(fā)展的新動能。30多年前，臺積電公司開創(chuàng)了新IC產(chǎn)業(yè)分工模式和協(xié)同體系。如今為了結(jié)合IC產(chǎn)業(yè)，AI產(chǎn)業(yè)的智能組件化是必然潮流，AI產(chǎn)業(yè)的分工體系也漸漸地進(jìn)化。于是有趣的是，硬件IC產(chǎn)業(yè)將伴隨新興AI產(chǎn)業(yè)的成長，且心心相印、融合為一。從此公主（AI）和王子（IC）過著幸?？鞓返娜兆印！　【C觀現(xiàn)代的IC制程分工是：設(shè)計(jì)→制造→測
關(guān)鍵字： 201912 AI IC

共2066條 13/138 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]