3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢
- 西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇?；?12 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費級產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品
- 行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)數(shù)碼成像解決方案的開發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過正式的商業(yè)交流及技術(shù)評估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開合作。此合作項目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進(jìn)技術(shù)及市場地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導(dǎo)入手機(jī)市場。雙方亦期望能藉此合作基礎(chǔ)，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進(jìn)而實現(xiàn)各項
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高效電源管理IC應(yīng)用于AI產(chǎn)品
- 據(jù)悉， 瑞薩電子株式會社宣布其ISL91301B電源管理IC（PMIC），應(yīng)用于最新Google Coral產(chǎn)品中，包括Mini PCIe加速器、M．2加速器A ＋ E密鑰、M．2加速器B ＋ M密鑰和模塊內(nèi)系統(tǒng)（SoM）。Google Coral可無縫集成至任何規(guī)模的流程中，從而幫助設(shè)計人員為各個行業(yè)創(chuàng)建多種本地人工智能（AI）解決方案。
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新東芝存儲不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價比
- 在近日召開的國際電子設(shè)備會議（IEDM）上，東芝存儲發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時它表示對3D XPoint之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實對于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強的SLC在4K隨機(jī)性能、
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采用單個IC從30V至400V輸入產(chǎn)生隔離或非隔離±12 V輸出
- 電動汽車、大型儲能電池組、家庭自動化、工業(yè)和電信電源都需要將高電壓轉(zhuǎn)換為±12 V，以滿足為放大器、傳感器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和工業(yè)過程控制器供電的雙極性電源軌需求。所有這些系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)之一是構(gòu)建一個緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器，它的工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C，這在汽車和其他高環(huán)境溫度應(yīng)用中尤為重要。線性穩(wěn)壓器已廣為人知，并且通常位列雙極性電源備選方案的首位，但它不適用于上述高輸入電壓、低輸出電壓的應(yīng)用，這主要是由線性穩(wěn)壓器在高降壓比下的散熱所導(dǎo)致。此外，雙極性解決方案至少需要兩個集成電路(IC)：一個
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邁向AI與IC產(chǎn)業(yè)結(jié)合之路
- 高煥堂?（臺灣VR產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席，廈門VR/AR協(xié)會榮譽會長兼顧問） 0 引言 過去十多年來，大數(shù)據(jù)是推動AI發(fā)展的主力。隨著AI應(yīng)用日愈擴(kuò)大和日趨復(fù)雜，計算能力成為當(dāng)今推動AI發(fā)展的新動能。30多年前，臺積電公司開創(chuàng)了新IC產(chǎn)業(yè)分工模式和協(xié)同體系。如今為了結(jié)合IC產(chǎn)業(yè)，AI產(chǎn)業(yè)的智能組件化是必然潮流，AI產(chǎn)業(yè)的分工體系也漸漸地進(jìn)化。于是有趣的是，硬件IC產(chǎn)業(yè)將伴隨新興AI產(chǎn)業(yè)的成長，且心心相印、融合為一。從此公主（AI）和王子（IC）過著幸?？鞓返娜兆印！ 【C觀現(xiàn)代的IC制程分工是：設(shè)計→制造→測
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Mentor 推出 Tessent Safety 生態(tài)系統(tǒng)以滿足自動駕駛時代的 IC 測試要求
- 西門子旗下業(yè)務(wù)Mentor 宣布推出一套全新的 Tessent? 軟件安全生態(tài)系統(tǒng)，即由 Mentor與其行業(yè)領(lǐng)先合作伙伴攜手提供的涵蓋最優(yōu)汽車 IC 測試解決方案的產(chǎn)品組合，該程序能夠幫助 IC 設(shè)計團(tuán)隊滿足全球汽車行業(yè)日益嚴(yán)格的功能安全需求。
- 關(guān)鍵字： Mentor Tessent Safety 自動駕駛 IC 測試
意法半導(dǎo)體USB Type-C端口保護(hù)IC全面防護(hù)，簡化大眾市場設(shè)備數(shù)據(jù)線升級過程
- 11月6日，借助意法半導(dǎo)體的 TCPP01－M12端口保護(hù)芯片，設(shè)計人員能夠?qū)⑿⌒碗娮釉O(shè)備數(shù)據(jù)線從舊式USB Micro－A或Micro－B數(shù)據(jù)線輕松升級到最新的Type－C接口線。TCPP01－M12端口保護(hù)芯片符合USB－C連接技術(shù)的所有電氣保護(hù)要求。
- 關(guān)鍵字： USB Type-C IC 市場
Blickfeld推出新款遠(yuǎn)程激光雷達(dá)
- 據(jù)外媒報道，固態(tài)激光雷達(dá)技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商Blickfeld推出了其產(chǎn)品陣容內(nèi)的最新成員 - Cube Range。該款基于MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）的激光雷達(dá)傳感器探測范圍得到擴(kuò)展，能夠探測250米以外的物體。與Blickfeld Cube陣容內(nèi)的其他產(chǎn)品一起，Blickfeld現(xiàn)在可以為自動駕駛汽車提供完整的激光雷達(dá)套件。
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意法半導(dǎo)體推出64通道高壓開關(guān)IC，助力醫(yī)療工業(yè)影像系統(tǒng)提高性能和便攜性
- 中國，2019年10月15日——意法半導(dǎo)體64通道高壓模擬開關(guān)芯片的集成度達(dá)到前所未有的水平，適用于先進(jìn)的超聲系統(tǒng)、超聲探頭、壓電驅(qū)動器、自動化測試設(shè)備、工業(yè)自動化和工業(yè)制造過程控制系統(tǒng)。STHV64SW集成邏輯控制信號移位寄存器、自偏置高壓MOSFET柵極驅(qū)動器和輸出峰流±3A的N溝道MOSFET開關(guān)。這些開關(guān)管的響應(yīng)速度快，開通時間1.5μs；低靜態(tài)電流節(jié)省關(guān)閉狀態(tài)功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_確保信號完整性出色。內(nèi)部過熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)功能確保開關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體
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Power Integrations交付第一百萬顆基于氮化鎵的InnoSwitch3 IC
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年9月30日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）日前宣布交付采用該公司PowiGaN?氮化鎵技術(shù)的第一百萬顆InnoSwitch?3開關(guān)電源IC。在安克創(chuàng)新深圳總部的活動現(xiàn)場，Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan親手將第一百萬顆氮化鎵IC交到了安克CEO陽萌手中。安克是業(yè)界知名的充電器和適配器生產(chǎn)廠商，致力于為全球零售商提供緊湊、強大的USB PD
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3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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