bcd-on-soi 文章 進入bcd-on-soi技術(shù)社區(qū)
胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 今天我們就來談?wù)凢i
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新型智能手表顯示FD-SOI正當時？
- 在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競爭。 因為沒有可見的終端產(chǎn)品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場上有實際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 終于，現(xiàn)在有實際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。 目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機、WiFi等無線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖
- 格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖
- 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計。 隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計，并縮短產(chǎn)品上市時間。 隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進節(jié)點設(shè)計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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FD-SOI制程決勝點在14nm！
- 產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認為，半導體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 半 導體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會降低，帶來較高的閘成本。
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Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發(fā)
- Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 Globalfoundries聲稱其針對不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
- 今天的智能手機和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區(qū)域為無線設(shè)備提供持續(xù)強勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！ ∫苿邮袌鰧F SOI的追捧持續(xù)升溫，因為它以高性價比實現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！ ?/li>
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FD-SOI會是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動，象征著為這項技術(shù)背書。 “我認為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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