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華虹半導(dǎo)體推出0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)工具包

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設(shè)計(jì)工具包(Process Design Kit，PDK)。這標(biāo)志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺(tái)已成功通過(guò)驗(yàn)證，并正式投入供客戶設(shè)計(jì)開發(fā)使用。工藝設(shè)計(jì)工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質(zhì)量射頻器件的設(shè)計(jì)與流片。　　華虹半導(dǎo)體的0.2微米SOI工藝平臺(tái)是專為無(wú)線射頻前端開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
關(guān)鍵字：華虹半導(dǎo)體 SOI

意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報(bào)告

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告(Sustainability Report)。意法半導(dǎo)體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告內(nèi)容全面地介紹意法半導(dǎo)體在2013年實(shí)施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績(jī)，并例證了可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃如何在企業(yè)經(jīng)營(yíng)中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng)造價(jià)值。　　意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導(dǎo)體在很早之前就認(rèn)識(shí)到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來(lái)，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略的
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IBM針對(duì)RF芯片代工升級(jí)制程技術(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IBM RF芯片代工升級(jí) 制程技術(shù) SiGe SOI

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人、先進(jìn)的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個(gè)可重構(gòu)射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺(tái)的設(shè)計(jì)──?
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數(shù)字鐘設(shè)計(jì)與制作

　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實(shí)現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設(shè)計(jì)包括了時(shí)序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路等內(nèi)容，內(nèi)容涉及面寬、綜合性強(qiáng)，是電子技術(shù)自主性實(shí)驗(yàn)教學(xué)的典型案例
關(guān)鍵字：數(shù)字鐘 CMOS CD4518 BCD-7

非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)

　　針對(duì)SOI二極管型非制冷紅外探測(cè)器，設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測(cè)器輸出電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對(duì)信號(hào)造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，5V電源電壓供電。當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)變化范圍為0~5mV時(shí)，讀出電路仿真結(jié)果表明：動(dòng)態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號(hào)輸出頻率5MHz，功耗116mW。
關(guān)鍵字：紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404

東芝推出智能手機(jī)專用射頻天線開關(guān)

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關(guān)，其插入損耗堪稱智能手機(jī)市場(chǎng)業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
關(guān)鍵字：東芝射頻天線 SOI

不懈追尋科技引領(lǐng)智能生活理念

電子技術(shù)的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機(jī)，電視，家居，汽車甚至機(jī)器人和人體輔助設(shè)備等。意法半導(dǎo)體追尋的理念就是科技引領(lǐng)智能生活，意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術(shù)演進(jìn)。
關(guān)鍵字： ST 機(jī)頂盒多媒體處理器 FD-SOI

BCD格式實(shí)時(shí)時(shí)鐘的狀態(tài)機(jī)邏輯

開發(fā)實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)軟件時(shí)，需要首先理解時(shí)鐘核心邏輯的定義。我們通常對(duì)時(shí)鐘和日歷的工作原理有一個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，本文則深入分析了芯片在裝載了不正確或不合法的內(nèi)容時(shí)可能產(chǎn)生的后果。
關(guān)鍵字： Maxim RTC 寄存器 BCD

FD-SOI: 下一代NovaThor平臺(tái)的助力器

隨著智能手機(jī)功能最近不斷升級(jí)演化，消費(fèi)者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機(jī)的標(biāo)配。同時(shí)，消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
關(guān)鍵字：助力平臺(tái) NovaThor 下一代 FD-SOI:

BCD推出多款LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案

近期，BCD半導(dǎo)體制造有限公司（BCDSemi）針對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的特殊要求，推出了一系列高性價(jià)比、覆蓋中小功率應(yīng)用...
關(guān)鍵字： BCD LED 驅(qū)動(dòng)電源

下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

　　在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

　　12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場(chǎng)的需求。　　FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。
關(guān)鍵字：意法納米 FD-SOI

華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

　　華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性價(jià)比，這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
關(guān)鍵字：華潤(rùn)微電子半導(dǎo)體 SOI