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臺積電推出0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產(chǎn)權(quán)
- 臺積電今日宣布，推出通過美國汽車電子協(xié)會(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產(chǎn)品規(guī)格驗證標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產(chǎn)權(quán)。 此一硅知識產(chǎn)權(quán)與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容，因此無需額外增加其他工藝步驟，提供車用電源管理及模擬產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片制造一個理想的選擇。
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基于AP3768的高效率超低待機功耗的手機充電器解決方案
- 近年來，節(jié)能環(huán)保理念的深入人心，對半導體IC設計和應用也提出了更高的要求。2008年11月，五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和LG電子聯(lián)合發(fā)布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來區(qū)分待機能耗。例如，待機功耗小于或等于30mW的手機充電器屬于最高星級，在其標簽上印有五顆星。相反，如果待機功耗≤500mW，則充電器標簽上將無任何星級標記。為適應手機充電器的技術(shù)革新和發(fā)展，新進半導體制造有限公司(簡稱BCD半導體)于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768，
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Dialog與臺積電攜手開發(fā)適用于電源管理芯片的BCD工藝
- 領先業(yè)界的高整合創(chuàng)新電源管理半導體解決方案提供業(yè)者－德商Dialog半導體公司與TSMC 23日共同宣布，雙方正密切合作，為移動產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工藝技術(shù)。 此0.25微米高壓工藝技術(shù)世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯片中，因而增加成本效益，同時擴大Dialog公司解決方案的潛在市場。 Dialog公司下一世代電源管理芯片的重要特點之一，就是將更高電壓與更有效的元件予以整合，因此得以開發(fā)出更小尺寸、更節(jié)能的芯片；這些芯
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TSMC推出高整合度LED驅(qū)動集成電路工藝
- TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。 此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代，并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術(shù)。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
- 在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。 據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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