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華潤(rùn)上華200V SOI工藝開(kāi)發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺(tái)階
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性?xún)r(jià)比，這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。
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華潤(rùn)上華于上海舉辦首場(chǎng)BCD系列工藝技術(shù)論壇
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇，主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦，是該協(xié)會(huì)首次與企業(yè)合作舉辦論壇，也是華潤(rùn)上華舉辦的第一場(chǎng)針對(duì)某個(gè)工藝的小型專(zhuān)題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來(lái)自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽(tīng)眾。
- 關(guān)鍵字： 華潤(rùn)上華 IC設(shè)計(jì) 工藝 BCD
意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的期望越來(lái)越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設(shè)
- 關(guān)鍵字： 意法 芯片 FD-SOI
華潤(rùn)上華推出高性?xún)r(jià)比0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)
- 華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，其更低成本和更高的可移植性可滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求，進(jìn)一步提高了華潤(rùn)上華BCD系列工藝平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 華潤(rùn)上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程，由之前0.25微米24V BCD工藝平臺(tái)延伸而來(lái)，核心器件工作電壓為5V，提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件，其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應(yīng)用于DC-D
- 關(guān)鍵字： 華潤(rùn) 微電子 BCD
BCD七段數(shù)碼管顯示譯碼器電路
- BCD七段數(shù)碼管顯示譯碼器電路發(fā)光二極管(LED)由特殊的半導(dǎo)體材料砷化鎵、 磷砷化鎵等制成，可以單獨(dú)使用，也可 ...
- 關(guān)鍵字： BCD 七段數(shù)碼管 顯示譯碼器
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