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合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%
- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫(kù)存水平已墊高，采購(gòu)量明顯減弱。平均銷售單價(jià)方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫(kù)存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì)上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
- 關(guān)鍵字： 南亞科技 內(nèi)存 DRAM
美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 日本 EUV
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
- IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
- 關(guān)鍵字： 海力士 三星 DRAM
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
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SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng)，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬(wàn)億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM
存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈
- AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另?yè)?jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來(lái)第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM TrendForce
美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(zhǎng)期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 美光
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長(zhǎng)安
- 怎么證明企業(yè)對(duì)某個(gè)市場(chǎng)的未來(lái)充滿信心？頻繁來(lái)華喊口號(hào)還是推定制芯片？一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團(tuán)隊(duì)？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠(chéng)意，對(duì)中國(guó)市場(chǎng)最有信心的表示當(dāng)然是加大中國(guó)市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價(jià)值43億元人民幣的擴(kuò)建工程正式破土動(dòng)工，該項(xiàng)目是2020年以來(lái)國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)在國(guó)內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉，這個(gè)項(xiàng)目除了加建新廠房，還會(huì)引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)
- 韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM MUF技術(shù)
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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