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不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
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DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價(jià)（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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需求好轉(zhuǎn)？兩家存儲(chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單
- 受消費(fèi)電子市場需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應(yīng)用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM
- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。可擴(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)
- 據(jù)媒體報(bào)道，盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價(jià)格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)、制造與銷售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲(chǔ)器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲(chǔ)器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出，即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
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第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見止跌訊號
- TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
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DRAM市況何時(shí)回溫？存儲(chǔ)廠商這樣說
- 當(dāng)前，由于消費(fèi)電子市場需求持續(xù)疲弱，當(dāng)前存儲(chǔ)器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探。為避免存儲(chǔ)器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價(jià)，多家供應(yīng)商已經(jīng)開始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價(jià)格跌幅將達(dá)13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為，受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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