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集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價(jià)態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
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消息稱 SK 海力士與三星電子 DRAM 市場份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在人工智能聊天機(jī)器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應(yīng)用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達(dá)到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個(gè)季度。而從最新報(bào)告來看，DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對(duì)手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場份額差距。研究機(jī)構(gòu)的報(bào)告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
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三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長
- 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場份額達(dá)到有史以來最高水平
- 據(jù)外媒報(bào)道，在OpenAI訓(xùn)練的人工智能聊天機(jī)器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后，外媒就預(yù)計(jì)對(duì)AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲(chǔ)器的需求也將隨之增加，半導(dǎo)體行業(yè)的多家廠商，將迎來新的發(fā)展機(jī)遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士就已從人工智能應(yīng)用需求增加中獲益，他們?nèi)径仍谌駾RAM市場的份額達(dá)到了35%，占據(jù)了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來，在全球DRAM市場份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
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存儲(chǔ)市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內(nèi)存，具有高達(dá)?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能?(AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫?(IMDB)?以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場景，滿足它們對(duì)
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芯片設(shè)計(jì)中，DRAM 類型的選擇正在變復(fù)雜
- 選擇越多，選擇越難。
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
- 在本次展會(huì)上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate
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通脹沖擊消費(fèi)電子終端買氣，2022年DRAM模組廠營收年減4.6%
- 受高通脹沖擊消費(fèi)電子產(chǎn)品買氣影響，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應(yīng)的領(lǐng)域不同，使得各家營收表現(xiàn)差異較大。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2022年全球前五大存儲(chǔ)器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計(jì)囊括全球模組市場的96%營業(yè)額，其中Kingston（金士頓）的市占達(dá)78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規(guī)模，加上完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊陌雽?dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營有關(guān)的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲(chǔ)
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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