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          面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

          • 面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報(bào)道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護(hù)欄,韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù),并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示,補(bǔ)貼接受者在
          • 關(guān)鍵字: CHIPS法案  韓國半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

          集邦咨詢:2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期

          • IT之家 9 月 27 日消息,存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道,伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后,DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DRAM  NAND Flash  

          為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求?

          • 消費(fèi)類DRAM廣泛普及,而且往往物美價(jià)廉。然而,這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中,我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異,并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM(物料清單);這意味著模塊中使用的材料可能會(huì)發(fā)生變化,而且經(jīng)常會(huì)在用戶未知的情況下發(fā)生變化,另外用戶可能會(huì)在一月份訂購兩個(gè) DIMM 用于測試,在三月份再訂購五百個(gè)用于生產(chǎn),但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
          • 關(guān)鍵字: innodisk  DRAM  

          美光訂價(jià)能力升 營運(yùn)露曙光

          • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào),鑒于美光對DRAM的訂價(jià)能力提升,市場高度期待美光獲利進(jìn)一步改善,預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn),部分市場需求轉(zhuǎn)強(qiáng),AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁,致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長Mark Murphy先前透露,若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營運(yùn)有望改善,帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng),該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商,紛紛上調(diào)美光投資評等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等,目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
          • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  DRAM  

          存儲(chǔ)廠商持續(xù)減產(chǎn),市場何時(shí)迎來供需平衡?

          • 受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響,存儲(chǔ)市場發(fā)展“遇冷”,鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn),2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過,由于市場需求持續(xù)衰弱,2023年存儲(chǔ)市況仍未復(fù)蘇,價(jià)格不斷下跌,廠商業(yè)績承壓。這一背景下,部分存儲(chǔ)廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格,推動(dòng)市場供需平衡。近日,臺灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道,DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略,調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出,根據(jù)客戶需求和市場變化動(dòng)態(tài)調(diào)整,以應(yīng)對市場疲軟,預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調(diào)降20%以內(nèi)。此前,全球市場
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)廠商  DRAM  TrendForce  

          3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)?

          • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          DRAM的變數(shù)

          • 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù),第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收約 114.3 億美元,環(huán)比增長 20.4%,終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo),止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后,不知道還有多少變數(shù),又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢?經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告,2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元,環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供應(yīng)商庫存快速堆積,為搶占第四季度的出貨市
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺量產(chǎn)

          • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報(bào)道,臺灣美光董事長盧東暉表示,美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn),其中臺日團(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn),這是美光第 1 代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù)。據(jù)悉,美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠,1-gamma 制程勢必會(huì)先在臺中廠量產(chǎn),日本廠未來也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào),臺灣和日本是美光非常重要的制造中心,美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

          • 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開啟了大容量內(nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
          • 關(guān)鍵字: 三星  12納米  DDR5  DRAM  

          3D DRAM時(shí)代即將到來,泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

          • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  泛林  

          DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展

          • 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

          • 今年 Q3,存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷,負(fù)責(zé)人雙雙被換

          • IT之家 7 月 5 日消息,據(jù)多個(gè)韓國媒體報(bào)道,三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工(DS)部門和 DRAM 部門負(fù)責(zé)人,被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先,三星代工事業(yè)部技術(shù)開發(fā)部門副社長鄭基泰(Jegae Jeong)被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人(CTO),而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí),負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開發(fā)的部門負(fù)責(zé)人也被更換,由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相?。℉wang Sang-jun)接管,被業(yè)界解讀為對 HB
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DRAM大廠:Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)?

          • 6月5日,DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營收為新臺幣23.09億元,月增加2.17%、年減少62.74%,仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營收為新臺幣109.94億元,年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到,DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為,以今年整體狀況而言,DRAM需求成長率可能低于長期平均值,但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件,未來各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新,加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
          • 關(guān)鍵字: DRAM  TrendForce  

          韓媒:三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì),以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM

          • 5月26日,韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱,三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì),以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度,方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限,增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱,如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功,在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下,與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比,芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù),據(jù)說工藝難點(diǎn)頗多。不過三星認(rèn)為,與SK海力士和美
          • 關(guān)鍵字: 三星  4F2結(jié)構(gòu)  DRAM  
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          dram介紹

          DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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