nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲器價(jià)格大漲
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。 不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米，美光導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)
- 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機(jī)制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
- 關(guān)鍵字： NAND ReRAM
迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
海力士謀劃72層堆疊閃存：單顆輕松1TB
- 如今各種設(shè)備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進(jìn)技術(shù)，尤其是強(qiáng)化3D堆疊設(shè)計(jì)。SK海力士就計(jì)劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。 2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。 2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點(diǎn)單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達(dá)到4096Gb(512GB)。 2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
- 關(guān)鍵字： 海力士 閃存
東芝分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，東芝公司為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆瑬|芝公司這一做法，一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營壓力，并滿足籌措營運(yùn)資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，DRAMeX
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據(jù)報(bào)道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強(qiáng)化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會(huì)投資東芝獨(dú)立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
新興市場智能手機(jī)需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著全球?qū)τ谑謾C(jī)、電腦、汽車等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機(jī)市場，當(dāng)?shù)叵M(fèi)者智慧手機(jī)持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預(yù)計(jì)2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。 群聯(lián)董事長潘建成表示，預(yù)計(jì)NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機(jī)、電腦、汽車等終端消費(fèi)性產(chǎn)品需求仍舊強(qiáng)勁。因應(yīng)此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元
- 根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當(dāng)前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案。 Ag
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 NAND
工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延
- 從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會(huì)有改觀。 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計(jì)將缺貨一整年。 日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí)，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？
- 在上海一場以“匠心獨(dú)運(yùn)，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上，長江存儲CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
中國集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目，同日舉行了開工啟動(dòng)儀式。 長江存儲是國內(nèi)最大的存儲器項(xiàng)目之一，瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。 隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)
- 關(guān)鍵字： 集成電路 NAND
nand 閃存介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand 閃存電路
nand 閃存相關(guān)帖子
nand 閃存資料下載
nand 閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473