nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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Stifel：3D NAND技術(shù)看起來很美好 但成本會持續(xù)多年居高不下
- 近年來，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設(shè)計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實現(xiàn)這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。 ? 影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復雜得
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閃存容量突破性進展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
閃存容量突破性進展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 鎂光 3D NAND
閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進行規(guī)?；虡I(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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EMC：新技術(shù)沖擊導致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時趕上，填補了這部分市場空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨立混合系
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大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點從制程微細化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機器對機器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
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