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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)

          •   全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場(chǎng),重創(chuàng)NAND價(jià)格。   巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前,生產(chǎn)64層3D NAND flash,此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱,當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán),將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
          • 關(guān)鍵字: 西數(shù)  NAND  

          第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價(jià)格續(xù)揚(yáng)

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示,在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲,預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPhone 7的銷售
          • 關(guān)鍵字: NAND  服務(wù)器  

          TrendForce:第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯,價(jià)格續(xù)揚(yáng)

          •   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下,第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯,NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立,eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲,預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPh
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND  

          未來半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折 新興驅(qū)動(dòng)力具獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

          • 未來半導(dǎo)體進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折,包括邏輯芯片制程技術(shù)推進(jìn)到10/7納米;存儲(chǔ)器推進(jìn)到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來愈小,制圖成型依賴愈來愈高;移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會(huì)愈來愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: NAND  AR  

          打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在?

          • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),其三大主流產(chǎn)品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前兩者,全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

          中國(guó)手機(jī)出貨強(qiáng)勁 推動(dòng)?xùn)|芝營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍

          •   據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元),此前預(yù)期為300億日元。   受此消息推動(dòng),東芝股價(jià)在周三快速上漲,創(chuàng)下自去年10月以來的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期,該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。   智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期。另外,比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。   芯片需求的增長(zhǎng)源于中國(guó)智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)乏力,但是中國(guó)智能機(jī)出
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測(cè)

          •   先前,因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波,因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測(cè),預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn),較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%,每股EPS也將達(dá)到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。   東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升,尤其在中國(guó)市場(chǎng),在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品,導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng),如此以進(jìn)一
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

          •   日媒稱,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值,速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長(zhǎng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過30%。中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面,半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。   據(jù)外媒報(bào)道,“采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了”,東電電子社長(zhǎng)河合利樹無法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          日媒:中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)

          •   據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道,韓國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。   今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元,排名第一的美國(guó)英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元,市場(chǎng)份額為14.7%。   三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn),2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn),2014年3.4個(gè)百分點(diǎn),2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然,今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上,但
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行

          •   第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。   受惠于中國(guó)智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開始收斂,通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。   DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

          •   美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價(jià)為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng),而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰,不過必須承認(rèn)的
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(zhǎng)3.4%

          •   受惠于中國(guó)智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示,第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的合約價(jià)跌幅開始收斂,渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng),第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢(shì)。        DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,第三?/li>
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)

          • 2013年 08 月 15 日,中國(guó)北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布起訴臺(tái)灣旺宏電子股份有限
          • 關(guān)鍵字: Spansion  旺宏電子  閃存   

          LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯(cuò)技術(shù)

          • LSI SandForce詳細(xì)介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯(cuò)方法,稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會(huì)上披
          • 關(guān)鍵字: LSI  閃存  SSD   

          美光:始終專注企業(yè)級(jí)閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級(jí)閃存  NAND   
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          nand 閃存介紹

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