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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          平面架構(gòu)1x納米NAND揭密!

          •   過去的一年半以來,主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源,美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后,TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。   針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點,在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
          • 關(guān)鍵字: NAND  SK海力士  

          東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲存陣列商機(jī)

          •   宜鼎和東芝成立臺灣首家進(jìn)軍快閃存儲器陣列的供應(yīng)商,分食云端儲存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機(jī),三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界:AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會,邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬,為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          蘋果要用?三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%

          •   南韓媒體中央日報日文版 19 日報導(dǎo),因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長,故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報導(dǎo)指出,據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露,目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片,而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。   據(jù) 報導(dǎo),三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND,為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商,且三星計劃
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND   

          臺美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

          •   宜鼎國際布局云端SSD市場,找來美超微和東芝一起搶商機(jī)。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發(fā),美商都已卡好位,臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro),以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立,臺方掌握主導(dǎo)權(quán),由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者,因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長。   一般講到云端儲存商機(jī),第一個聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD),這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND   

          分析師:IC與PC第二季全球市場需求皆衰弱

          •   根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告, 2015年第二季全球市場對半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱,主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示,部分零組件的采購量與 2014年同季相較,減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出:“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場仍然是表現(xiàn)亮眼。”   德意志銀行的報告也顯示,平板電腦、電視以及許多Android手機(jī)的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱,該銀行對整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評等為中性。“在中國智慧型手
          • 關(guān)鍵字: PC  NAND  

          Flash廠力推 3D NAND明年全面滲透消費(fèi)性SSD

          •   在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下,消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案,并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對SSD可靠度要求等級較高,預(yù)估將自2016下半年后才會轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。   
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存

          •   在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存,有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性,成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。   SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器,同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
          • 關(guān)鍵字: NAND  SM2256   

          Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世

          •   固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu),讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世

          •   固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu),讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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          SSD需求起飛 引爆28納米制程第二波攻勢

          • 近期固態(tài)硬盤大降價,刺激了SSD晶元代工市場。
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND   

          分析師:NAND第三季可望擺脫供過于求

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機(jī)上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預(yù)估在第三季擺脫供過于求,轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。   從供給面來觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預(yù)估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND  

          研調(diào):NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過于求

          •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預(yù)估在第三季將擺脫供過于求,轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。   從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預(yù)估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND Flash  

          2016年3D V-NAND市場擴(kuò)大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

          •   在存儲器芯片市場上,垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據(jù)韓國MT News報導(dǎo),2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍,而除目前獨(dú)占市場的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場,為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu),增加到48層。   外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類,V-N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點

          •   固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品,驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲存市場出貨量翻揚(yáng)。   慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  

          存儲器價格波動大 業(yè)界穩(wěn)定機(jī)制受關(guān)注

          •   在經(jīng)歷多次市場價格的大起大落后,全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合,使得定價漸趨穩(wěn)定。不過,近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預(yù)測數(shù)據(jù),并歸因于快閃存儲器的價格下滑,引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機(jī)制是否為曇花一現(xiàn)的假象,又或現(xiàn)狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。   據(jù)Barron's Asia報導(dǎo)指出,眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退,但許多專家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度,認(rèn)為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比,快閃存儲器的市場供需平衡現(xiàn)已漸入佳境,多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異,并非普遍的業(yè)界趨勢。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  
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          nand 閃存介紹

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