nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說(shuō)明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)暢旺東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

　　根據(jù)彭博社的報(bào)導(dǎo)，受惠于于儲(chǔ)存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(zhǎng)，加上撙節(jié)計(jì)畫(huà)的奏效，日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益上調(diào) 36%，來(lái)到 950 億日?qǐng)A (約新臺(tái)幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過(guò)去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營(yíng)收，從 2.55 兆日?qǐng)A上調(diào)至 2.58 兆日?qǐng)A。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計(jì)資料顯示
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤(pán)市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
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三星最賺錢(qián)業(yè)務(wù)將被中國(guó)企業(yè)吃掉？

伴隨著中國(guó)增加閃存投資，其和三星的閃存市場(chǎng)份額差距正在縮小，而技術(shù)上中國(guó)在過(guò)去10年時(shí)間里培養(yǎng)了一批人才，積累了一定技術(shù)，在技術(shù)上迅速縮小與三星的差距。
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航　　以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對(duì)3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(pán)(SSD)爆發(fā)成長(zhǎng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性?xún)?nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤(pán)市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
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關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時(shí)間以來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤(pán)等存儲(chǔ)設(shè)備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開(kāi)始浮出水面，被越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。　　那么，在價(jià)格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專(zhuān)職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代，但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際，大
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
關(guān)鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理