EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司,高速、高容量和免電池非易失性存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布,正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起,為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?! g
- 關(guān)鍵字: 賽普拉斯 NAND
工序失衡!2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價(jià)繼續(xù)蔓延
- 從2016年下半年開始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢(shì)頭開始上揚(yáng),2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延,而且一整年都未必會(huì)有改觀。 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也強(qiáng)調(diào),NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代,制程良率無法提升,預(yù)計(jì)將缺貨一整年。 日前,金士頓董事長(zhǎng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí),針對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存
存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口?
- 在上海一場(chǎng)以“匠心獨(dú)運(yùn),卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中,他對(duì)為什么選擇發(fā)展存儲(chǔ)、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題,作了深刻的分析。 為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) 在詳細(xì)介紹為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)之前,楊士寧首先對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說法,在全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品中,NAND 和
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 NAND
中國(guó)集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目,同日舉行了開工啟動(dòng)儀式。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一,瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù),建成后將扭轉(zhuǎn)我國(guó)存儲(chǔ)器有市場(chǎng)無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級(jí)改造,將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線,建成后將使我國(guó)擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái),追趕國(guó)際先進(jìn)水平。 隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn),中國(guó)IC業(yè)
- 關(guān)鍵字: 集成電路 NAND
紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體廠武漢動(dòng)工 總投資超240億美元
- 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó):“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動(dòng)工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè),也是一個(gè)超過兩百億美金芯片的工廠” 2016年12月,紫光集團(tuán)趙偉國(guó),布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略,先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,要在四川打造百億云計(jì)算中心。 12月30日,紫光宣布動(dòng)工,興建三座全球最大3
- 關(guān)鍵字: 紫光 NAND
2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限、價(jià)格走揚(yáng)
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示,2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年,而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前,也將持續(xù)缺貨,價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng),使NAND Flash原廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上。 DRAMeXch
- 關(guān)鍵字: NAND TrendForce
為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠,滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng),以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年,所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SK海力士
美光:3D NAND產(chǎn)能總?cè)萘恳迅哂?D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國(guó)記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財(cái)務(wù)長(zhǎng)Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時(shí)表示,該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要?dú)v程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報(bào)導(dǎo),Maddock表示,雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D,但就記憶體總?cè)萘慷裕?D NAND產(chǎn)能的總?cè)萘恳迅哂?D產(chǎn)品。 據(jù)悉,美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術(shù),3D NA
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
東芝副社長(zhǎng):“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”
- “三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲(chǔ)單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長(zhǎng)兼存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司社長(zhǎng)成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導(dǎo)體相關(guān)展會(huì)“SEMICON Japan 2016”(東京有明國(guó)際會(huì)展中心)的“半導(dǎo)體高端論壇”上登臺(tái)發(fā)言,并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。 成毛以對(duì)比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式,介紹了東芝供應(yīng)的3D NAND“BiCS FL
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
- 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 對(duì)于3D NAND閃存,我們并不陌生,現(xiàn)在市場(chǎng)上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存,不論是性能還是容量或者是寫入壽命,3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
?NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強(qiáng)勁的智慧型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng),第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰,各產(chǎn)品別價(jià)格續(xù)創(chuàng)年度新高,預(yù)估缺貨態(tài)勢(shì)將持續(xù)至2017年第1季,屆時(shí)企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)漲幅將超過10%,行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9~13%,企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)也上漲5~10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字: ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品
- 三星在手機(jī)市場(chǎng)遭遇一定挫折,不過由于全球手機(jī)的出貨量成長(zhǎng)以及對(duì)更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏家,據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營(yíng)收同比增長(zhǎng)20.6%,市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎,由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲(chǔ)器的容量及寬度,在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量,例如采用16nm工藝的2D NAND存儲(chǔ)器容量為64GB,而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字: Intel NAND
三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王,東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開
- 三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢(shì),NAND快閃存儲(chǔ)器市占率逐季甩開東芝等競(jìng)爭(zhēng)者的糾纏,龍頭位置越座越穩(wěn)。 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,三星第三季NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收來到37.44億美元,市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)) 同期間,東芝NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收為20.26億美元,市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%,落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%,此為歷史新高水平。 剛完成并購(gòu)SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
nand 閃存介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473