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          3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

          • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高,許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  

          3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

          •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

          美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場

          •   美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。   美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機市場,此區(qū)塊市場占全球智能型手機總數(shù)的50%。   而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          機器學(xué)習(xí)或能為延長NAND壽命提供解決方案

          •   NAND在今日儲存市場中占有一席之地,而為了延長NAND的使用壽命,近來有研究提出,透過機器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達到最佳化。   InformationWeek網(wǎng)站報導(dǎo),近期數(shù)位資料儲存顧問機構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長。   一般來說
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          中國NAND閃存市場占全球1/3

          •   相對于舊式 HDD 硬盤的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風向。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場,而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此,也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。   在NAND 閃存的市場部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示,中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD   

          3D NAND風暴來襲,中國存儲器廠商如何接招?

          • 中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認為是一個有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲器  

          儲存技術(shù)不斷演進 NAND Flash僅是開端

          •   在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導(dǎo),NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器,便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。   由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置,在速度、耐用性和重
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          美光3D NAND將殺到!打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

          • 目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營,如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將畫下句點,3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設(shè)先進光掩模生產(chǎn)線項目

          •   全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          美光科技推出適用于下一代智能手機的移動 3D NAND 解決方案

          •   美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場,這一細分市場大約占據(jù)全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設(shè)備替代個人電腦成為消費者的主要計算設(shè)備,用戶行為對設(shè)備的移動內(nèi)存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題,實現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗,包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          鎂光:3D閃存芯片能讓手機擁有更多內(nèi)存容量

          •   近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道,鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準,市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。        鎂光認為智能手機對內(nèi)存容量的需求越來越高,虛擬現(xiàn)實應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示,在幾年
          • 關(guān)鍵字: 鎂光  NAND   

          解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑

          • 中中國下決心做存儲器芯片,是個特別重大,而又十分艱難的決定,國存儲器業(yè)要取得成功,總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時間的實踐,有一定進展,但是情況也有些變化,這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

          面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲科技有限責任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

          三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

          •   上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。   SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進,成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          東芝超車失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND

          •   上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。   SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進,成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  
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          nand 閃存介紹

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