同為亞太區(qū)半導體產業(yè)研究部主管的巴克萊證券陸行之與瑞銀證券程正樺昨(11)日指出,IC封裝測試族群疲弱的9月營收表現(xiàn),對晶圓代工族群將是一大「警訊」,由于IC設計客戶第4季開始去化庫存,預計產能利用率將從10月起修正至明(2011)年第1季。
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宏達電 半導體 晶圓
晶圓代工廠臺積電與聯(lián)電9月營收同步走高,第3季合并營收新臺幣1,122.47億元,優(yōu)于預期,并續(xù)創(chuàng)歷史新高。聯(lián)電第3季營收326.51億元,季增9.77%,符合預期,并創(chuàng)23季以來新高。
晶圓代工廠由于第3季接單暢旺,帶動營收逐月走高,臺積電9月合并營收達376.38億元,較8月再成長0.7%,續(xù)創(chuàng)歷史新高。聯(lián)電9月營收達109.44億元,也較8月再成長0.53%,創(chuàng)71個月來單月營收新高水平。
臺積電第3季合并營收達1,122.47億元,超越原預期的1,090億~1,110億元目標,季增
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臺積電 晶圓
說起臺灣半導體廠商的西進大陸之路,走來可真是荊棘滿布、崎嶇難行。不論總統(tǒng)是藍是綠,半導體廠要到大陸設個廠,出發(fā)點都是單純的要進行全球化布局,因為客戶去了大陸,當然后腳也要跟得上,但是政府想太多也管太多,半導體廠走了許多冤枉路,花了許多冤枉錢,廠商卻是只能有苦往肚里吞,而且現(xiàn)在還要花費更大的代價,才能把該搶回來的市場或訂單給拿回來。
自2001年上海第1座晶圓代工廠中芯國際在浦東張江動土,至今已將近10年時間,這10年來,中芯已經擴張成為全球第4大晶圓代工廠,就算去年中芯與臺積電間的官司訴訟失敗,
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半導體 晶圓
全球晶圓(Global Foundries)全力挑戰(zhàn)晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電,6月初曾來臺宣布擴產計劃,本月將再度于13日來臺舉辦全球技術論壇,由全球晶圓營運長謝松輝主持,由于近期傳出臺積電大客戶NVIDIA轉單全球晶圓,后續(xù)動向備受業(yè)界關注。
全球晶圓9月初于美國舉行首屆全球技術論壇,展示28納米類比/混合訊號(AMS)生產設計流程開發(fā)套件,并推出新的28納米HPP(High Performance Plus)技術,全球晶圓全球技術論壇預計于13日移師亞洲,首站抵達臺灣,再轉往上海,除先前已發(fā)表先
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近期市場上對于晶圓代工廠2011年資本支出將持續(xù)走揚或較2010年保守,出現(xiàn)兩派論戰(zhàn),半導體設備商則指出,其實大多數(shù)晶圓廠對于 2011年仍看法相當謹慎,因此資本支出尚未到最終出爐階段,然而肯定的是,由于2010年的大幅成長,加上全球經濟仍有走弱的隱憂,大多數(shù)半導體設備廠對2011年資本支出仍是看法相當保守。
以2010年來說,國際半導體設備暨材料協(xié)會(SEMI)預估,全年半導體設備營收將逾330億美元,預估占全年半導體產業(yè)產值約11%,2011年預估約占12%。
日前臺積電董事長張忠謀表
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市場研究機構The Information Network總裁RobertCastellano表示,半導體產業(yè)環(huán)境正在惡化,而且領先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出,雖然2010年將會是半導體產業(yè)經歷大幅反彈成長的一年,但好日子恐怕不多了。
Castellano預測,終端電子產品銷售將出現(xiàn)下滑,首當而沖的就是DRAM領域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預言,PC銷售業(yè)績趨緩,將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應商造成負面影響,連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到沖
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晶圓級封裝(WLP)技術正在穩(wěn)步向小芯片應用繁衍。對大尺寸芯片應用如DRAM和flash存儲器而言,批量生產前景還不明朗,但理想的WLP可靠性高,且能高頻運行,有望改變這種大尺寸芯片無法應用的現(xiàn)狀。WLP一般擁有良好的功率集成特性、支持晶圓級測試、能適應芯片特征尺寸縮小,同時降低成本。
WLP技術的最新進展可以滿足所謂的理想WLP的每項要求。已有人證明,柔性層能提高可靠性。WLP上的兩個金屬層提高了功率和信號的完整性。取消封裝基底則將高速應用產品的跡長降到了最低。在柔性層頂部添加銅柱,可直接進行
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晶圓 芯片 封裝
市場傳出臺積電明(2011)年資本支出還會再創(chuàng)新高,港商德意志證券半導體分析師周立中指出,據他了解,不會比今年高、約「僅」有50至55億美元,較今年少了7%至15%。不過,此數(shù)值還是比市場預估40至45億美元要高。
因此,周立中將臺積電2011與2012年資本支出預估值,分別調升至54與54億美元,合計2008至2011年總資本支出金額為159億美元,比2004至2007年的合計99億美元要高出63%。
周立中認為,臺積電這幾年之所以大舉擴增資本支出,主要原因有3項:一、日本國際整合組件大
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臺積電 晶圓
面對臺積電高層直指2011年第1季晶圓代工廠產能利用率將較2010年第4季下滑,呈現(xiàn)連續(xù)2季產能利用率下降走勢,臺系IC設計業(yè)者指出,盡管這將有助于IC設計業(yè)者與晶圓代工廠在未來2季擁有更大代工議價空間,但更擔心同業(yè)間在擠出更大代工議價空間后,反手展開殺價搶單動作,甚至就過去經驗來看,IC設計業(yè)者面對晶圓代工廠產能利用率自高點反轉,擁有更大成本優(yōu)勢時,反而因為殺價競爭,讓IC設計業(yè)者不僅占不到便宜,還跌得灰頭土臉。
臺系手機芯片供貨商表示,2010年第3季大概就只剩下12寸及6寸廠產能利用率還維
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臺積電 IC設計 晶圓
2010年第三季度,臺積電已經向臺灣證券交易所發(fā)布了47項設備支出和晶圓廠建設條目,交易總額僅524.5億新臺幣(約合16.6億美元)。
臺積電上半年支出總額約為31億美元,去年同期為3.9億美元。臺積電2010年的資本支出預算為59億美元,去年為26.7億美元。
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2008年至2009年,IC芯片市場在自身周期與宏觀經濟的雙重壓力下陷入深淵,產業(yè)所經歷的痛苦與磨難至今仍讓人記憶猶新。如今2010年已經過半,在全球經濟的復蘇前景仍未明朗之際,芯片市場卻獲得了超預期的反彈。
08-09這輪市場震蕩可謂是空前的。從全球晶圓出貨面積指數(shù)(圖1)中可以看到,晶圓出貨量在08年第四季度自由落體式地下跌,產業(yè)充斥著裁員、關廠、破產的消息。直到09年第一季度,市場跌到了谷底,開始有企穩(wěn)跡象,但業(yè)界對反彈的前景非常謹慎。筆者清楚地記得在SEMICON China 2009的
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雖然繪圖芯片、網通及手機芯片等市場已進入庫存修正階段,除了 65/55納米以下先進制程產能仍短缺,40納米及28納米產能更是供不應求,晶圓雙雄臺積電及聯(lián)電仍然擴產不停歇。設備業(yè)者表示,手機及網通芯片、中央處理器及芯片組等產品線,明年將大量導入40納米制程,是晶圓雙雄積極建置12寸廠產能的重要原因。
設備業(yè)者表示,晶圓雙雄的12寸廠至今仍然產能滿載,65/55納米產能仍不足,40納米及28納米產能更是供不應求,最主要原因仍是受制于浸潤式微影設備機臺交期長達10個月以上。
而臺積電積極擴產,尤
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臺積電 晶圓 65納米
最近,接連傳出德儀收購成芯,美光欲收購武漢新芯的消息,震動和影響了整個中國半導體界,同時,“政府出資,企業(yè)代管”的這種中國特色半導體產業(yè)發(fā)展模式也再一次成為了焦點。賽迪網記者就此采訪了iSuppli高級分析師顧文軍,他認為“企業(yè)代管”的這種合作模式避免了前期企業(yè)投資過大、折舊過大而造成的財務風險。同時,他還認為,武漢新芯如被外資收購對我國存儲產業(yè)將是致命打擊。
“代管模式”應解決四大問題
據悉,成芯公司成立于2005年
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成芯 半導體 晶圓
晶圓代工廠臺積電16日于中科舉行第1座薄膜太陽能技術研發(fā)中心暨先期量產廠房動土典禮,由董事長張忠謀親自主持,他預期全球半導體產業(yè) 2011年將成長5%,并期許臺積電業(yè)績成長10%。2010年全球晶圓廠皆大幅擴充產能,不過張忠謀認為,臺積電2011年不會出現(xiàn)供過于求的問題。
近期市場上對于臺積電第4季及2011年展望出現(xiàn)疑慮,對此,張忠謀指出,期望2010年臺積電營收與稅前獲利成長4成,亦即,臺積電2010年營收可望達新臺幣4,140億元,以第3季財測高標季營收1,110億元來推算,臺積電第4季營
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NOR Flash大廠旺宏順利募資順利,成功獲得新臺幣180億元聯(lián)貸案,由于大客戶任天堂的3D新款游戲機即將上市,旺宏的12吋晶圓廠將加緊腳步,在2011年進入量產,預計2010、2011的資本支出共達10億美元,這次聯(lián)貸案成功,也順利充實擴廠的資金來源;此外,受惠近期日圓升值,旺宏將是最直接的受惠者。
旺宏董事長吳敏求表示,目前旺宏手上現(xiàn)金水位還有300億元,為了擴建12吋晶圓廠的財務規(guī)劃需求,正式與15家銀行辦理聯(lián)貸案,共募得180億元,2011年12吋晶圓廠將可順利步入量產,初期規(guī)劃年底前
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [
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