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3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
08下半年IC產(chǎn)業(yè)有何看點(diǎn)
- 建立合資企業(yè)，減少資本支出，晶圓代工廠商產(chǎn)能利用率高漲，450毫米晶圓工廠，原油價(jià)格上漲，這些都是2008年上半年的突出現(xiàn)象。下半年平均銷(xiāo)售價(jià)格是否會(huì)上漲？ 回顧一下上半年IC產(chǎn)業(yè)的突出特點(diǎn)：???? 成立了幾家合資企業(yè)，尤其是內(nèi)存供應(yīng)商之間的合資企業(yè)(如美光-南亞科技，英特爾-意法半導(dǎo)體)。上半年DRAM和閃存市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)十分殘酷，迫使內(nèi)存廠商為了生存而采取斷然措施。 2008年資本支出預(yù)算減少(或者進(jìn)一步減少)，ICInsights認(rèn)為，這
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓 意法半導(dǎo)體 三星 英特爾 臺(tái)積電
微傳感器市場(chǎng)銷(xiāo)售收入在08年將增18.5%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司BCC Research最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng)，2008年全球微傳感器市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入將達(dá)32億美元，比2007年的27億美元增長(zhǎng)18.5%。到2013年，全球微傳感器市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入將達(dá)到84億美 元。這個(gè)市場(chǎng)從2008年至2013年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為21.3%。 BCC Research把這個(gè)市場(chǎng)分為微電機(jī)系統(tǒng)、生物芯片和納米傳感器等應(yīng)用市場(chǎng)。微電機(jī)系統(tǒng)是最大的微傳感器市場(chǎng)，2007年的銷(xiāo)售收入為22億美元。這個(gè)市場(chǎng)2008年的銷(xiāo)售收入將達(dá)26億美元，2013年的銷(xiāo)售收入將達(dá)64億美元
- 關(guān)鍵字： IC 微傳感器 微電機(jī) 生物芯片 納米傳感器
SanDisk與東芝合資開(kāi)發(fā)3D內(nèi)存芯片
- 6月19日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，閃存制造商SanDisk公司近日發(fā)布了報(bào)送給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份報(bào)告，該報(bào)告稱(chēng)，SanDisk將與東芝公司合作，共同開(kāi)發(fā)和制造可重寫(xiě)3D內(nèi)存。 SanDisk公司稱(chēng)，兩家公司將共同致力于3D內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，并共享與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目有關(guān)的專(zhuān)利許可技術(shù)。作為合資企業(yè)一部分，東芝將向SanDisk支付許可費(fèi)用。 雙方合資最終將導(dǎo)致一種可替代NAND閃存的新型內(nèi)存技術(shù)，SanDisk是NAND型閃存的主要生產(chǎn)商之一。后者被iPod、iPhone、數(shù)碼相機(jī)和其他設(shè)備
- 關(guān)鍵字： SanDisk 東芝 3D 內(nèi)存 芯片
互聯(lián)三要素：功率、成本和帶寬效率
- 當(dāng)在探討對(duì)IC和IP核的要求時(shí)，我們最終落實(shí)到的是用戶(hù)的要求。用戶(hù)想要產(chǎn)品價(jià)位低；電池壽命無(wú)限長(zhǎng)；無(wú)限制地使用產(chǎn)品所提供的技術(shù)。這些要求都轉(zhuǎn)化為了對(duì)效率的嚴(yán)苛要求。 事實(shí)上效率分為三個(gè)不同的部分。很明顯，功率效率是其中之一，處理器的功率優(yōu)化可以延長(zhǎng)用于設(shè)備的電池的壽命。還有成本效率，用戶(hù)總是要求產(chǎn)品的價(jià)格越來(lái)越便宜，所包含的性能越來(lái)越多。成本下降，容量上升，這就是當(dāng)今工業(yè)的發(fā)展趨向。雖然成本和能量效率只是效率的兩部分，但它們卻是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展動(dòng)力。 第三項(xiàng)是帶寬效率。越來(lái)越多的媒體被
- 關(guān)鍵字： IC IP 處理器 Pulse-LINK 安全編碼 Tensilica
MEMS劃片技術(shù)的現(xiàn)狀與技術(shù)革新
- 0 引言 MEMS主要包括微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應(yīng)的處理電路等幾部分，是在融合多種微細(xì)加工技術(shù)，并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)的最新成果的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的高科技前沿學(xué)科。MEMS是一種全新的必須同時(shí)考慮多種物理場(chǎng)混合作用的研發(fā)領(lǐng)域，相對(duì)于傳統(tǒng)的機(jī)械，它們的尺寸往往在微米和亞微米量級(jí)。制造上主要采用以Si為主的材料、集成電路(IC)的加工技術(shù)，可以在Si片指定位置上進(jìn)行蝕刻或生長(zhǎng)附加材料層，從而形成一個(gè)特殊的功能結(jié)構(gòu)。MEMS芯片有的帶有腔體和薄膜、有的帶有懸梁，這些微機(jī)械結(jié)構(gòu)容易因機(jī)械接觸而損
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 劃片 IC
渝德科技8寸線試產(chǎn)成功
- 中國(guó)臺(tái)灣茂德在重慶轉(zhuǎn)投資的8寸晶圓廠渝德科技日前試產(chǎn)成功，首批產(chǎn)品為power IC及光學(xué)鼠標(biāo)IC。渝德科技預(yù)計(jì)今年7月將正式量產(chǎn)，設(shè)計(jì)最大月產(chǎn)能為8萬(wàn)片。渝德科技總經(jīng)理鄧覺(jué)為表示，這座8寸廠初期會(huì)以邏輯IC及部分存儲(chǔ)產(chǎn)品為主，由于設(shè)備折舊計(jì)提多年因此代工價(jià)格會(huì)極具競(jìng)爭(zhēng)力。 位于重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)區(qū)的渝德科技8寸廠總投資額為9.6億美元，先期由重慶市政府投資人民幣15億元興建廠房等設(shè)施，投產(chǎn)后再由渝德科技贖回。據(jù)悉，由于封測(cè)廠未同時(shí)配套投資，渝德科技初期所產(chǎn)芯片大都運(yùn)回中國(guó)臺(tái)灣封測(cè)，而重慶市政府
- 關(guān)鍵字： 晶圓 IC 茂德 重慶 渝德科技
LSI推出新一代高性能低功耗前置放大器集成電路
- LSI 公司宣布推出專(zhuān)為 2.5 英寸和 3.5 英寸臺(tái)式機(jī)和企業(yè)級(jí)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 設(shè)計(jì)的最新高性能、低功耗前置放大器集成電路 (IC) —— TrueStore® PA8800。 這款全新的 PA8800 前置放大器采用 LSI 第二代硅鍺 (Si-Ge) 工藝制造而成，不僅可提供 3.3Gbps 的業(yè)界最高運(yùn)行速度，而且其功耗比面向同一市場(chǎng)領(lǐng)域的前代產(chǎn)品降低了近 30%。PA8800 獨(dú)具創(chuàng)新的節(jié)能特性有助于降低供電、冷卻等相關(guān)運(yùn)營(yíng)成本，同時(shí)隨著散熱量
- 關(guān)鍵字： LSI IC 前置放大器 驅(qū)動(dòng)器
脫機(jī)型智能IC卡景點(diǎn)收費(fèi)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
- 模塊化智能進(jìn)出口管理系統(tǒng) 將射頻卡技術(shù)、智能通道三輥閘技術(shù)、工業(yè)控制技術(shù)等先進(jìn)、成熟的技術(shù)集成在智能通道管理系統(tǒng)中。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)合理、安裝操作簡(jiǎn)便、方案嚴(yán)謹(jǐn)，整體采用模塊化功能構(gòu)成。
- 關(guān)鍵字： 管理系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 方案 收費(fèi) 景點(diǎn) 智能 IC 機(jī)型
深創(chuàng)業(yè)板推動(dòng)中國(guó)IC業(yè) 無(wú)廠產(chǎn)業(yè)兩極分化
- 受益于2008年北京奧運(yùn)會(huì)，以及3G、移動(dòng)電視和DMB-T等新的全國(guó)性標(biāo)準(zhǔn)的推出，中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)將在2008年迎來(lái)健康的發(fā)展。 預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額僅增長(zhǎng)4%，從2007年的2,690億美元上升到接近2,800億美元。同時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)僅增長(zhǎng)7%，明顯低于過(guò)去的兩位數(shù)增長(zhǎng)率。但是，2008年中國(guó)無(wú)廠IC產(chǎn)業(yè)將比2007年的31億美元增長(zhǎng)16%，達(dá)到36億美元。消費(fèi)電子產(chǎn)品和無(wú)線產(chǎn)業(yè)設(shè)備升級(jí)正在推動(dòng)該市場(chǎng)的增長(zhǎng)。???? 深圳創(chuàng)業(yè)板
- 關(guān)鍵字： IC 3G 奧運(yùn) 半導(dǎo)體 消費(fèi)電子 無(wú)線產(chǎn)業(yè) 移動(dòng)電視 DMB-T
TI推出零漂移、雙向電流分流監(jiān)測(cè)器
- 德州儀器 (TI) 推出系列采用 SC70 封裝的高或低側(cè)測(cè)量型雙向電流分流監(jiān)測(cè)器 IC 。INA210 產(chǎn)品系列采用零漂移雙向架構(gòu)，最高失調(diào)電壓 35uV，在 -40℃～+125℃ 的寬泛工作溫度范圍內(nèi)誤差僅為 1%。零漂移幾乎消除了失調(diào)，因而能夠大幅降低配套分流電阻器的壓降與功耗，從而降低成本與板級(jí)空間。這些 IC 的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，其中包括服務(wù)器、電信設(shè)備、車(chē)載、電池管理、計(jì)算機(jī)、電源以及測(cè)試設(shè)備等。 INA210 產(chǎn)品系列的共模電壓范圍介于 -0.3V ～ +26V 之間，可確保在電源
- 關(guān)鍵字： TI 監(jiān)測(cè)器 IC 電阻器
利用電源管理IC應(yīng)對(duì)便攜式設(shè)計(jì)的功耗挑戰(zhàn)
- 盡管手機(jī)設(shè)計(jì)人員不斷地將語(yǔ)音、相機(jī)、GPS及其他功能集成在一個(gè)不超過(guò)半英寸厚的外殼中，便攜式媒體播放器設(shè)計(jì)者將微控制器、硬驅(qū)和音頻電路等整合在口袋大小的封裝中，但是便攜式設(shè)計(jì)集成多種功能的壓力仍然巨大。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功耗 挑戰(zhàn) 便攜式 應(yīng)對(duì) 電源 管理 IC 利用
意法半導(dǎo)體通過(guò)CMP為中國(guó)高等院校提供先進(jìn)的CMOS制造工藝
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)世界領(lǐng)先企業(yè)意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）和世界知名的IC中介服務(wù)公司CMP（Circuits Multi Projects®）宣布兩家公司開(kāi)始為中國(guó)高等院校的學(xué)術(shù)研究項(xiàng)目提供意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的CMOS制造技術(shù)。 截至目前，歐美已有上百所大學(xué)采用意法半導(dǎo)體的65納米體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物（CMOS）半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則和工具，并發(fā)展出數(shù)百項(xiàng)采用不同技術(shù)的集成電路設(shè)計(jì)。ST和CMP已落實(shí)在中國(guó)實(shí)施這項(xiàng)計(jì)劃所需的基礎(chǔ)設(shè)施，以便延續(xù)這個(gè)合作項(xiàng)目在歐美學(xué)術(shù)界所取得的成功，讓中國(guó)
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 ST CMP CMOS IC
Power Integrations推出全新LinkSwitch?-II系列
- 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓模擬集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（NASDAQ：POWI）今日宣布推出高度集成且具有高精度初級(jí)側(cè)控制的LinkSwitch-II系列AC-DC開(kāi)關(guān)功率轉(zhuǎn)換IC。LinkSwitch-II器件可以極大地簡(jiǎn)化恒壓/恒流(CV/CC)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，使消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品輕松滿(mǎn)足全球所有的能效及空載標(biāo)準(zhǔn)（例如針對(duì)外部電源的能源之星2.0標(biāo)準(zhǔn)）。新的IC非常適合手機(jī)和無(wú)繩電話(huà)充電器、高亮度LED驅(qū)動(dòng)器以及其它要求精確恒壓或恒流輸出的應(yīng)用。 LinkSwitch
- 關(guān)鍵字： Power Integrations 開(kāi)關(guān)功率轉(zhuǎn)換 IC LED LinkSwitch
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱(chēng)之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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