3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
大陸IC產(chǎn)業(yè) 國家意志崛起
- 回顧2011～2015年資料，中國IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上，近2年增長幅度更是維持在20%左右，而制造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產(chǎn)值年增率更是來到25%，充分體現(xiàn)中國在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強(qiáng)烈的國家意志。 一、中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值 與IC制造業(yè)產(chǎn)值 積 體電路產(chǎn)業(yè)在國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全中占有至關(guān)重要的地位，2000年以來，中國政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)扶持和發(fā)展政策從未間斷，其中“國家積體電 路發(fā)展推進(jìn)綱要”提出目標(biāo)：中國積體電路產(chǎn)業(yè)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 IC
中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園要當(dāng)“全球芯創(chuàng)中心”
- 很多國際企業(yè)與大師來中國，不一定是對(duì)中國有多么深的感情，而是因?yàn)橹袊氖袌?chǎng)。因?yàn)楹Ｍ饪赡軟]有這么大的市場(chǎng)，或市場(chǎng)已經(jīng)發(fā)展完了，而只有中國才有這種投資建設(shè)的需求。 北京中關(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園正是看到了這點(diǎn)。一方面，積極扶植園內(nèi)中小型企業(yè)，另一方面，建立海外對(duì)接平臺(tái)力圖吸引國際化的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，為他們提供在華企業(yè)注冊(cè)、辦公條件、項(xiàng)目投融資等眾多便利條件。“我們按照世界一流園區(qū)來建造，成為‘全球‘芯’創(chuàng)中心’只是一個(gè)時(shí)間問題?！北本┲嘘P(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園發(fā)展有限責(zé)任公司副總經(jīng)理指出?！ ?jù)悉，園區(qū)將打造創(chuàng)
- 關(guān)鍵字： 北京中關(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園 安俠睿 201610
通過主動(dòng)輸出放電功能來保護(hù)敏感和昂貴的負(fù)載
- 傳統(tǒng)上，一直用高效率開關(guān)穩(wěn)壓器給這類器件供電，但是開關(guān)穩(wěn)壓器可能有潛在的噪聲干擾問題以及瞬態(tài)響應(yīng)和布局限制。因此， 低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器在這類應(yīng)用以及其他低壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中開始受到關(guān)注。本文通過介紹LDO和其他穩(wěn)壓器面臨的挑戰(zhàn)以及凌力爾特公司的LT306x 系列穩(wěn)壓器，說明了在新的電路設(shè)計(jì)方法和改進(jìn)的芯片制造工藝下LDO的特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
- 關(guān)鍵字： LDO 線性穩(wěn)壓器 IC 負(fù)載 201610
美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過必須承認(rèn)的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)
IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡(jiǎn)化而設(shè)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International R
- 關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng) IR IC
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM
如何判定電路中IC的是否工作？
- 如何準(zhǔn)確判斷電路中集成電路IC的是否工作，是好是壞是修理電視、音響、錄像設(shè)備的一個(gè)重要內(nèi)容，判斷不準(zhǔn)，往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在，所以要對(duì)集成電路作出正確判斷。 1、首先要掌握該電路中IC的用途、內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理、主要電特性等，必要時(shí)還要分析內(nèi)部電原理圖。除了這些，如果再有各引腳對(duì)地直流電壓、波形、對(duì)地正反向直流電阻值，那么，對(duì)檢查前判斷提供了更有利條件; 2、然后按故障現(xiàn)象判斷其部位，再按部位查找故障元件。有時(shí)需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。 3、一般對(duì)電路中I
- 關(guān)鍵字： IC 集成電路
臺(tái)媒:再不開放陸資，臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)危矣
- 社會(huì)高度關(guān)注政客民意調(diào)查的“死亡交叉”，卻少有人注意到另一個(gè)死亡交叉的出現(xiàn)，臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的營收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢(shì)，近日傳出有意“默許”業(yè)者轉(zhuǎn)經(jīng)第三地赴大陸投資。 臺(tái)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值 被陸超越 IC設(shè)計(jì)繞過審查登陸 蔡默許不管 我們認(rèn)為，政府這種思維與作法只能以“一錯(cuò)再錯(cuò)”名之，先錯(cuò)估產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與需求，強(qiáng)硬阻擋兩岸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)合作，確定情勢(shì)不利后，竟不肯“開大門，走大道”，
- 關(guān)鍵字： IC 晶圓
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng)，此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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