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TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實現(xiàn)真正的3D堆疊
- ? 新參考流程增強了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計 ? 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲器進(jìn)行過流程驗證 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ：CDNS)今天宣布，臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程，該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊，在邏輯搭載存儲器設(shè)計上進(jìn)行了驗證 ，可實現(xiàn)多塊模的整合。它將臺積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合，包
- 關(guān)鍵字： Cadence 3D-IC
達(dá)索系統(tǒng)發(fā)布SOLIDWORKS 2014版本
- 全球3D設(shè)計、3D數(shù)字樣機、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所：#13065, DSY.PA)今日發(fā)布了SOLIDWORKS® 2014 3D軟件產(chǎn)品組合，涵蓋了3D CAD、仿真、產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理、技術(shù)溝通和電氣設(shè)計，助力企業(yè)突破限制，實現(xiàn)更多創(chuàng)新設(shè)計。 全新發(fā)布的SOLIDWORKS 2014版本提供了卓越的生產(chǎn)效率和可用性，使得企業(yè)可以更專注于知識密集型任務(wù)，從而推動產(chǎn)品的創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字： SOLIDWORKS 3D
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3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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