意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
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意法半導體 MCU FD-SOI STM32
受到美國政府的干擾，中國半導體產業發展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關注的技術或企業提供了很好的發展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進制程工藝演進到 10nm 時，當時昂貴的價格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業界關注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點，才引起人們關注的，它最大的特點就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實際應用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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SOI
混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設計如今廣受關注，一個重要的技術趨勢正悄然影響著汽車行業——汽車動力系統中的 48V 直流 (DC) 總線系統。48V 系統不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于更常見的內燃機汽車。汽車應用 48V 電網48V 系統有何獨特之處？與在常規的供電條件下一樣，48V 系統歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學規律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關。供電仍需要電流與電壓的結合，但電勢差（損耗）隨電流
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Power-SOI Soitec
中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
過去十年，天線調諧技術領域發生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發展，日新月異——產品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術開發工程師每推出一代新技術，都會做出漸進式改進，通過這種持續改善來幫
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Qorvo SOI
致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網絡攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯大友尚基于CVITEK和SOI產品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯網、工業互聯網、智能家居、智慧城市的發展，推動了智能監控技術的革新，也驅動了IPC（網絡攝像機）的需求。相比于傳統攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網絡輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網。這些特性使其
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大聯大友尚 CVITEK SOI 網絡攝像機
意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
·????? 隨著世界經濟向數字化和脫碳轉型，新的高產能聯營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術，包括格芯排名前列的 FDX? 技術和意法半導體針對汽車、工業、物聯網和通信基礎設施等應用開發的節點低至18納米的全面技術·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
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意法半導體 12英寸 晶圓廠 FD-SOI
CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協議，四家公司計劃聯合制定產業之下一代FD-SOI技術發展規劃。半導體組件和FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶系統帶來巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯機和安全保護，這對汽車、物聯網和行動應用而言，其優勢是FD-SOI技術的一個重要特質。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來，在Grenoble-Crolles生態系統中，CEA一
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CEA Soitec 格芯 意法半導體 FD-SOI
意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。在意法半導體Agrate工廠的實時／
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ST BCD 制程技術
介紹了一種田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結構的巧妙設計，有效避免了平面內和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設計，理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果，可以得出結論：所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領域有一定的應用前景。
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微加速度計 SOI 交叉軸干擾 靈敏度
作為一家設計和生產創新性半導體材料的技術領導企業，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來助力整個信息產業的創新，通過不斷革新更優化的制造材料，確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩定性提供服務。特別是伴隨著5G技術的不斷推進，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關重要的作用，可以說Soitec的技術是促進5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然，“幕后英雄”也因為其先進的技術獲得企業的飛速發展，Soitec全球戰略執行副總裁Thomas PILISZCZ
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Soitec RF-SOI FD-SOI
全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司（“華虹半導體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產線順利實現產品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數字電源、數字電機驅動、數字音頻功放等芯片領域獲得廣泛應用。緊貼電源管理技術高集成度和智能化的發展趨勢，華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻，達到業界先進水平。為了滿足高集成度發展趨勢，該工藝平
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BCD 電源管理
全球領先的半導體晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協議表明環球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長期供應。 環球晶圓是全球領先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應商，雙方長期保持著良好的合作關系。環球晶圓也是12英寸晶圓制造商，基于雙方未來發展與穩定供應需求，環球晶圓與格芯有望緊密協作，有力擴大環球晶圓12英寸SOI晶圓生產產能。 格
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硅晶圓 SOI
中國信通院數據顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發展速度遠超業界預期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業，基于成熟工藝設備不斷創新以提升芯片性能和成本優勢來滿足。近日，在中國集成電路設計業2019年會(ICCAD 2
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RF-SOI BCD
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