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          鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

          • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,鎧俠(Kioxia)宣布其多項創(chuàng)新研究成果,將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(IEDM)上發(fā)表。聲明中稱,鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù):氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM(OCTRAM):該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā),通過改進(jìn)制造工藝,開發(fā)出一種垂直晶體管,提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗,使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲器
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          HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

          • TrendForce指出,隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建,高帶寬內(nèi)存(HBM)市場處高成長階段,平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍,待下一代HBM3e量產(chǎn),加上產(chǎn)能擴(kuò)張,營收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出,HBM市場仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器,在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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          三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算

          • 三星電子今日宣布,已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM(第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器)。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率,這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的各個領(lǐng)域,例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站,這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊執(zhí)行副總裁裴永哲(Bae YongCh
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          TrendForce:內(nèi)存下半年價格恐摔

          • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查,消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫,中國大陸地區(qū)的智能型手機(jī),出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情形,筆電也因為消費(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買,市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象,導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費(fèi)性內(nèi)存市場正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響,但202
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          SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

          • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào):“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳,微細(xì)工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
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          第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%,預(yù)期第三季合約價將上調(diào)

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長,2024年第二季整體DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元,季增24.8%。價格方面,合約價于第二季維持上漲,第三季因國際形勢等因素,預(yù)估Conventional DRAM(一般型內(nèi)存)合約價漲幅將高于先前預(yù)期。觀察Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)和Micron(美光科技)第二季出貨表現(xiàn),均較前一季有所增加,平均銷售單價方面,三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢,加上臺灣地區(qū)四月初地震影響,以及HBM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

          imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

          • 比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī),發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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          外媒:三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM

          • 8月7日消息,隨著移動設(shè)備功能的不斷增強(qiáng),對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道,三星電子近日宣布,公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項,專為低功耗RAM市場設(shè)計,主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米,比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計,這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù),將LPDDR5X的厚度
          • 關(guān)鍵字: 三星  手機(jī)芯片  LPDDR5X DRAM  

          HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

          • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上,用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開,對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng),加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨,可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解,6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右,表現(xiàn)持平,主要是供需雙方對價格談判,呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面,三星新一代HBM3E,據(jù)傳有望通過輝達(dá)(NVIDIA)認(rèn)證,輝達(dá)GB200將于2025年放量,其
          • 關(guān)鍵字: HBM  DRAM  美光  

          圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

          • 圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日,西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱:紫光國芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域,為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會現(xiàn)場重點(diǎn)展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣(UniWhen?)和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM,新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
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          內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出

          • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
          • 關(guān)鍵字: HBM  3D DRAM  

          服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%

          • 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度,第三季DRAM均價將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價格漲幅達(dá)8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補(bǔ)庫存意愿漸趨保守,供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫存的空間,且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季,因此預(yù)計智能手機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  TrendForce  

          SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%

          • 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D DRAM  

          云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展,帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%

          • 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群,以作為LLM及AI建?;A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發(fā)展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI server,促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外,因AI PC或NB在計算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
          • 關(guān)鍵字: 云端  CSPs  邊緣AI  DRAM  TrendForce  

          HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

          • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達(dá)后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期,美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進(jìn)一步上揚(yáng),以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯失機(jī)會」,在美光
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          dram介紹

          DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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