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x-dram
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下,供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
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2024-11-14
北京君正:21nm DRAM新工藝預(yù)計年底推出
網(wǎng)絡(luò)與存儲
北京君正
21nm
DRAM
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2024-11-14
【電動車和能效亮點】Verbund X Ventures投資Easelink的創(chuàng)新充電技術(shù)
汽車電子
Verbund X Ventures
Easelink
充電技術(shù)
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2024-11-07
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
EDA/PCB
郭明錤
英特爾
Lunar Lake
DRAM
CPU
封裝
AI PC
LNL
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2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
網(wǎng)絡(luò)與存儲
鎧俠
存儲技術(shù)
DRAM
MRAM
3D堆疊
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2024-10-24
HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
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2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
24Gb
GDDR7
DRAM
人工智能計算
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2024-10-17
X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
物聯(lián)網(wǎng)與傳感器
X-FAB
光電二極管
傳感靈敏度
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2024-10-11
瑞薩三合一驅(qū)動單元方案,助力電動車輕盈啟航
汽車電子
驅(qū)動器
電動汽車
X-in-1
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2024-09-30
Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核
嵌入式系統(tǒng)
Qualcomm
Snapdragon X
芯片快照
CPU 內(nèi)核
|
2024-09-30
TrendForce:內(nèi)存下半年價格恐摔
網(wǎng)絡(luò)與存儲
TrendForce
內(nèi)存
DRAM
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2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
第六代
10納米級
DDR5 DRAM
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2024-08-29
ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3
嵌入式系統(tǒng)
軟件包
X-CUBE-MATTER
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2024-08-19
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%,預(yù)期第三季合約價將上調(diào)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
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2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
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2024-08-13
外媒:三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
手機(jī)與無線通信
三星
手機(jī)芯片
LPDDR5X DRAM
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2024-08-07
萊迪思Avant-X:捍衛(wèi)數(shù)字前沿
嵌入式系統(tǒng)
萊迪思
Avant-X
FPGA
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2024-08-05
基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車載USB3.X和DP數(shù)據(jù)通信方案
汽車電子
Diodes
AP43776Q
PI3DBS16222Q
PI3DPX1207Q
車載USB3.X
DP數(shù)據(jù)通信
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2024-07-22
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
DRAM
美光
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2024-07-18
圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力
網(wǎng)絡(luò)與存儲
紫光國芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
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2024-07-11
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
3D DRAM
|
2024-07-08
服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
服務(wù)器
DRAM
TrendForce
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2024-06-27
高通驍龍 X Elite 芯片 PassMark 跑分:單核媲美蘋果 M2,多核超 M4 芯片 3.7%
嵌入式系統(tǒng)
高通驍龍
X Elite
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2024-06-26
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展,帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
云端
CSPs
邊緣AI
DRAM
TrendForce
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2024-06-26
HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
DRAM
美光
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2024-06-25
西門子推出基于瀏覽器的Zel-X集成式軟件
工控自動化
西門子
Zel-X
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2024-06-21
美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響
網(wǎng)絡(luò)與存儲
美光
DRAM
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2024-06-21
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2024-06-19
EasyScope X應(yīng)用案例之檢索平均波形數(shù)據(jù)
測試測量
EasyScope X
平均波形
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2024-06-18
合約價勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
網(wǎng)絡(luò)與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
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2024-06-17
合約價上漲抵消淡季效應(yīng),推升DRAM第一季營收季增5.1%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
淡季效應(yīng)
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-06-13
X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
汽車電子
X-Fab
180納米
高壓CMOS代工
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2024-06-01
南亞科技:首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
南亞科技
內(nèi)存
DRAM
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2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
網(wǎng)絡(luò)與存儲
美光
DRAM
日本
EUV
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2024-05-29
HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-05-21
X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
EDA/PCB
X-FAB
180納米
高壓CMOS
代工
|
2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
三星
SK海力士
內(nèi)存
DRAM
HBM
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2024-05-16
SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
網(wǎng)絡(luò)與存儲
海力士
三星
DRAM
|
2024-05-14
美國周二表示,已經(jīng)撤銷了許可證,禁止公司向被制裁的華為等公司運輸芯片
國際視野
MateBook X Pro
華為
AI
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2024-05-08
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