EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
三星
三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)
三星驚爆侵權(quán) 哈佛大學(xué)怒提告
- 韓三星電子今年第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收超車臺(tái)積電，時(shí)隔2年重回半導(dǎo)體王者寶座。不過(guò)據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)知名學(xué)府哈佛大學(xué)指控三星在微處理器與內(nèi)存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項(xiàng)專利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機(jī)。綜合路透社等外媒報(bào)導(dǎo)，三星已遭哈佛大學(xué)在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學(xué)指控，三星生產(chǎn)微處理器與內(nèi)存芯片的技術(shù)侵犯了該校化學(xué)教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實(shí)驗(yàn)室的博士后或研究生。哈佛大學(xué)的律師在訴狀中宣稱，三星未經(jīng)授權(quán)在其微芯片、智能型手機(jī)與半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 三星 微處理器
三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒有通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計(jì)今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM3E 英偉達(dá) SK海力士 AI
公司 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試？三星回應(yīng)稱并不屬實(shí)
- IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。現(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，三星電子回應(yīng)稱該報(bào)道并不屬實(shí)。對(duì)于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無(wú)法證實(shí)與客戶相關(guān)的報(bào)道，但該報(bào)道不屬實(shí)?！贝送猓请娮拥囊晃桓吖鼙硎?，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測(cè)試仍在進(jìn)行中，與上月財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM3E
外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動(dòng)設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對(duì)內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報(bào)道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級(jí)別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項(xiàng)，專為低功耗RAM市場(chǎng)設(shè)計(jì)，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計(jì)，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
- 關(guān)鍵字： 三星 手機(jī)芯片 LPDDR5X DRAM
三星超車臺(tái)積電 重登半導(dǎo)體王者寶座
- 在AI熱潮帶動(dòng)下，不僅臺(tái)積電賺飽飽，就連臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀認(rèn)證為最大勁敵的三星電子，也受惠于AI市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收年增94%至28.56兆韓元，為2022年第2季后，時(shí)隔2年超車臺(tái)積電，重新登上半導(dǎo)體王者寶座。三星電子今（31）日公布第2季財(cái)報(bào)，受惠于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，整體營(yíng)收年增23%至74.07兆韓元，營(yíng)業(yè)利益較去年同期飆升近15倍至10.44兆韓元，為2022年第3季以來(lái)首次超過(guò)10兆韓元。三星電子在7月初公布初步財(cái)報(bào)時(shí)，并未公布各項(xiàng)業(yè)務(wù)的具體營(yíng)收，但在臺(tái)積電公布第2季營(yíng)收為新臺(tái)
- 關(guān)鍵字： 三星 臺(tái)積電
三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，最后統(tǒng)計(jì)出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場(chǎng)文化，強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場(chǎng)，沒恢復(fù)根本的競(jìng)爭(zhēng)力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年?duì)I運(yùn)的困境。」三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
- 關(guān)鍵字： 三星 臺(tái)積電 海力士
高通入門級(jí)驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動(dòng)平臺(tái)驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級(jí)市場(chǎng)，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計(jì)，包括2個(gè)最高可達(dá)2.0GHz的A78內(nèi)核和6個(gè)A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍(lán)牙5.1、5G NR，以及最高8400萬(wàn)像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時(shí)兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運(yùn)行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項(xiàng)性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
- 關(guān)鍵字： 高通 驍龍 4s Gen2 三星 4nm 主頻2.0GHz
SEMI日本總裁稱先進(jìn)封裝應(yīng)統(tǒng)一：臺(tái)積電、三星、Intel三巨頭誰(shuí)會(huì)答應(yīng)
- 7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統(tǒng)一封測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，尤其是先進(jìn)封裝領(lǐng)域。他認(rèn)為，當(dāng)前臺(tái)積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰(zhàn)，使用不同的封裝標(biāo)準(zhǔn)，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也可能對(duì)行業(yè)利潤(rùn)水平造成影響。目前僅臺(tái)積電、三星和Intel三家公司在先進(jìn)制程芯片制造領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展，對(duì)封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前，先進(jìn)封裝技術(shù)以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長(zhǎng)速度也非?？?。HBM內(nèi)
- 關(guān)鍵字： SEMI 封裝 臺(tái)積電 三星 Intel
打破索尼壟斷！郭明錤曝iPhone 18要用三星傳感器
- 7月25日消息，分析師郭明錤表示，蘋果iPhone 18系列將會(huì)配備三星影像傳感器，屆時(shí)索尼的壟斷地位將會(huì)被打破。據(jù)悉，三星已經(jīng)成立了專門的團(tuán)隊(duì)來(lái)為蘋果提供服務(wù)，從2026年開始，三星將為蘋果出貨4800萬(wàn)像素1/2.6英寸超廣角影像傳感器，打破長(zhǎng)期以來(lái)索尼獨(dú)供的局面。有觀點(diǎn)認(rèn)為，作為產(chǎn)業(yè)鏈上的頭號(hào)大廠，蘋果在全球指定近千家供應(yīng)商完成零部件的生產(chǎn)任務(wù)，供應(yīng)商名單會(huì)不時(shí)更迭。蘋果管理供應(yīng)鏈有一個(gè)很常用的招數(shù)，就是習(xí)慣為每類零部件配置2個(gè)供應(yīng)商，一方面可以使供應(yīng)商互相制衡，另一方面可以拿到更優(yōu)的價(jià)格。這次蘋果
- 關(guān)鍵字： 三星 影像傳感器 蘋果
三星通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試內(nèi)幕：用在中國(guó)大陸產(chǎn)品
- 路透社披露，三星的高帶寬內(nèi)存芯片HBM3已經(jīng)通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證，將使用在符合美國(guó)出口管制措施，專為中國(guó)大陸市場(chǎng)設(shè)計(jì)的H20人工智能處理器上，至于更高階的HBM3E版本，尚未通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。 由于SK海力士、美光及三星為HBM的主要供貨商，為了緩解緊繃的市況，并降低成本集中少數(shù)供貨商的壓力，英偉達(dá)一直很希望三星及美光能盡速通過(guò)測(cè)試，黃仁勛6月訪臺(tái)時(shí)也曾提及此事，指出剩工程上的作業(yè)需要處理，保持耐心完成工作。此外，黃仁勛也否認(rèn)媒體報(bào)導(dǎo)三星HBM出現(xiàn)過(guò)熱及功耗的問題，直言「并沒有這件事?！谷缃瘢?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 英偉達(dá) HBM3
三星搶得特斯拉車載平臺(tái)AI5訂單
- 特斯拉揭露下一代車載計(jì)算平臺(tái)，不再沿用過(guò)往的HW（Hardware）命名方式，而是直接名為AI5，凸顯其強(qiáng)大的AI特性。相較于現(xiàn)行的HW4.0平臺(tái)，AI5將帶來(lái)顯著的性能提升，外界估計(jì)，其算力將可能達(dá)到驚人的3,000-5,000 TOPS（每秒兆次運(yùn)算）。另外，據(jù)業(yè)界人士透露，AI5將采用三星的4奈米制程技術(shù)，并且可能延續(xù)使用基于Exynos-IP的設(shè)計(jì)；法人推測(cè)，恐是為成本考慮。 智駕車競(jìng)賽從芯片端開始打響，過(guò)往FSD芯片委托三星代工，在三星4奈米制程良率拉升之下，馬斯克依舊將AI5交由
- 關(guān)鍵字： 三星 特斯拉 車載平臺(tái) AI5
拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
- 關(guān)鍵字： 三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)完成其最快LPDDR5X驗(yàn)證
- 三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗(yàn)證。三星半導(dǎo)體LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗(yàn)證，使用三星的16GB LPDDR5X封裝規(guī)格，基于聯(lián)發(fā)科技計(jì)劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動(dòng)平臺(tái)進(jìn)行。兩家公司保持密切合作，僅用三個(gè)月就完成了驗(yàn)證。"通過(guò)與聯(lián)發(fā)科技的戰(zhàn)略合作，三星已驗(yàn)證了其最快的LPDDR5X DRAM，該內(nèi)存有望推動(dòng)人工智能（AI）智能手機(jī)市場(chǎng)，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 三星 聯(lián)發(fā)科技 天璣 LPDDR5X
三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容
- 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計(jì)劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導(dǎo)體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對(duì)電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點(diǎn)，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過(guò)批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長(zhǎng)壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
- 關(guān)鍵字： 三星 Exynos 2500 芯片 硅電容
三星3nm取得突破性進(jìn)展！Exynos 2500樣品已達(dá)3.20GHz
- 7月14日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3.20GHz的高頻運(yùn)行，這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現(xiàn)更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過(guò)低的擔(dān)憂一度影響了市場(chǎng)對(duì)Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機(jī)的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過(guò)三星在月初的聲明中，對(duì)外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進(jìn)行了否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定，產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
三星介紹
韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
[ 查看詳細(xì) ]
三星研討會(huì)推薦
三星電路
三星相關(guān)帖子
三星資料下載
三星專欄文章
相關(guān)主題
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473