三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)
三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避
- 有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測(cè)試，三星對(duì)此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測(cè)試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測(cè)試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測(cè)試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存 HBM
李強(qiáng)會(huì)見三星李在镕，呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月26日下午，國(guó)務(wù)院總理李強(qiáng)在首爾出席第九次中日韓領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議期間會(huì)見韓國(guó)三星集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)李在镕。李強(qiáng)表示，三星對(duì)華合作是中韓兩國(guó)互利共贏、合作發(fā)展的一個(gè)生動(dòng)縮影。隨著兩國(guó)經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn)，合作的前景將越來越廣闊。李強(qiáng)進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，外資企業(yè)是中國(guó)發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國(guó)企業(yè)繼續(xù)擴(kuò)大對(duì)華投資合作，分享更多中國(guó)新發(fā)展帶來的新機(jī)遇。在會(huì)見期間，李強(qiáng)提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領(lǐng)域的合作。李強(qiáng)表示，希望兩國(guó)企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領(lǐng)域深挖合作
- 關(guān)鍵字： 三星 人工智能 AI
三星集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)李在镕：堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國(guó)人民喜愛的企業(yè)
- IT之家 5 月 27 日消息，據(jù)新華社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議期間，韓國(guó)三星集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)李在镕表示將“堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國(guó)人民喜愛的企業(yè)”。報(bào)道稱，李在镕介紹了三星集團(tuán)在華投資合作情況，感謝中國(guó)政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)提供的大力支持，表示三星將堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國(guó)人民喜愛的企業(yè)，繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻(xiàn)。此前消息稱，三星正在提高中國(guó)大陸手機(jī)產(chǎn)量，將 JDM（共同開發(fā)設(shè)計(jì)制造）產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬臺(tái)提升至 67
- 關(guān)鍵字： 三星 手機(jī)
三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM 內(nèi)存芯片 英偉達(dá)
三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲(chǔ) HBM 英偉達(dá)
爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單？三星或不惜代價(jià)確保第二代3納米良率
- 繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務(wù)就是在代工業(yè)務(wù)方面搶下GPU大廠英偉達(dá)(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺(tái)積電面臨地震等風(fēng)險(xiǎn)，三星電子迫切尋求機(jī)會(huì)，為英偉達(dá)打造第二代3納米制程的供應(yīng)鏈。韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場(chǎng)人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經(jīng)在內(nèi)部制定「Nemo」計(jì)劃，也就是要贏得英偉達(dá)3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務(wù)。市場(chǎng)人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對(duì)英偉達(dá)的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過，現(xiàn)階段三星代工部門內(nèi)并未成立專門的組織。事實(shí)
- 關(guān)鍵字： 三星 英偉達(dá) MCU
良率不及臺(tái)積電4成！三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗
- 全球半導(dǎo)體大廠韓國(guó)三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%，還不及臺(tái)積電良率的4成，使得三星在爭(zhēng)奪英偉達(dá)（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報(bào)導(dǎo)說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計(jì)定案（tape out）。外界認(rèn)為，該芯
- 關(guān)鍵字： 良率 臺(tái)積電 三星 3nm 英偉達(dá)
三星任命新CEO，隨著AI對(duì)內(nèi)存需求的增加，公司希望重新奪回市場(chǎng)份額
- 三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設(shè)備解決方案部負(fù)責(zé)人。設(shè)備解決方案部是三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導(dǎo)這一部門。在董事會(huì)和股東批準(zhǔn)后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執(zhí)行官。三星采用雙CEO系統(tǒng)，一位CEO負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，另一位負(fù)責(zé)設(shè)備體驗(yàn)（手機(jī)、顯示器等）。根據(jù)三星的說法，Jun的主要目標(biāo)是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力?！盝un接替了現(xiàn)任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現(xiàn)在取代Jun擔(dān)任未來業(yè)務(wù)部的負(fù)責(zé)人，該部門于2023年成立，旨在
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 市場(chǎng) 三星
邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
- 關(guān)鍵字： 3D 內(nèi)存 存儲(chǔ) 三星
OLED中國(guó)廠商表現(xiàn)強(qiáng)勁：出貨量前五名獨(dú)占四席
- 2024年第一季度全球OLED面板市場(chǎng)出貨量排名出爐，最新數(shù)據(jù)顯示中國(guó)廠商在OLED面板市場(chǎng)的表現(xiàn)令人矚目，前五名中獨(dú)占四席。隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求增加，預(yù)計(jì)未來中國(guó)將繼續(xù)成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球智能手機(jī)面板市場(chǎng)在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長(zhǎng)約24.4%。三星依然以42.4%的市場(chǎng)份額保持全球OLED智能手機(jī)面板市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊地位，掌握著全球手機(jī)近一半市場(chǎng)。三星OLED面板利潤(rùn)也是行業(yè)最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用，還有iP
- 關(guān)鍵字： OLED 面板 三星 京東方 維信諾
三星HBM3E沒過英偉達(dá)驗(yàn)證，原因與臺(tái)積電有關(guān)
- 存儲(chǔ)器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗(yàn)證。外媒報(bào)導(dǎo)，三星至今未通過英偉達(dá)驗(yàn)證，是卡在臺(tái)積電。身為英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺(tái)積電也是英偉達(dá)驗(yàn)證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對(duì)參數(shù)多少有影響。三星2024年第一季財(cái)報(bào)表示，八層垂直堆疊
- 關(guān)鍵字： 三星 英偉達(dá) 臺(tái)積電
三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內(nèi)存 DRAM HBM
DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％
- 5月15日消息，據(jù)市場(chǎng)消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒?，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對(duì)于芯片廠商來說，DDR3利潤(rùn)微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DDR3 三星 SK海力士
三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)
- 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？
- 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
- 關(guān)鍵字： 三星 1000層 NAND
三星介紹
韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
[ 查看詳細(xì) ]
三星研討會(huì)推薦
三星電路
三星相關(guān)帖子
三星資料下載
三星專欄文章
相關(guān)主題
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473