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三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)
三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車臺(tái)積電，但結(jié)果始終不如預(yù)期，相較臺(tái)積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單，并反映在財(cái)報(bào)上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅(jiān)稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買(mǎi)賬，直言很多大廠都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機(jī)型的獨(dú)家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預(yù)期，因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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三星2納米 獲日AI芯片訂單
- 三星電子9日宣布獲得日本AI新創(chuàng)公司Preferred Networks訂單，將提供GAA 2納米制程及2.5D I-Cube S封裝技術(shù)的一站式解決方案，協(xié)助Preferred Networks發(fā)展強(qiáng)大的AI加速器，應(yīng)付快速擴(kuò)大的生成式AI運(yùn)算需求。 自從三星率先將GAA晶體管技術(shù)應(yīng)用到3納米制程后，便持續(xù)強(qiáng)化GAA晶體管技術(shù)，成功贏得Preferred Networks的GAA 2納米制程訂單。這也是三星首度與日本業(yè)者進(jìn)行大尺寸異質(zhì)整合封裝技術(shù)合作，有助日后進(jìn)一步搶攻先進(jìn)封裝市場(chǎng)。 三星2.5D先進(jìn)封
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機(jī)？
- 內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少，因
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三星Q2營(yíng)利暴增15倍 遠(yuǎn)超外界預(yù)期
- 韓國(guó)三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價(jià)因此也水漲船高，上季營(yíng)業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團(tuán)整體第2季營(yíng)利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時(shí)，營(yíng)收也大增23.3%，達(dá)74兆韓元。不過(guò)，三星這次并沒(méi)有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下?tīng)I(yíng)業(yè)利益高達(dá)10.8兆韓元以后，全集團(tuán)營(yíng)利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營(yíng)利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz
- 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達(dá)到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實(shí)現(xiàn)了3.4倍的提升，在多核性能上更是達(dá)到了3.
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
- 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí)，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來(lái)，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問(wèn)世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái)，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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臺(tái)積電完勝三星！死忠客戶Google轉(zhuǎn)單
- 三星3納米制程良率不佳，外傳低于20%，導(dǎo)致原有客戶出走，最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片，將改為臺(tái)積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報(bào)導(dǎo)，Google Pixel 10系列手機(jī)的Tensor G5處理器（SoC），目前已進(jìn)入 Tape-ou（流片）階段。 Google首款完全自研手機(jī)處理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生產(chǎn)，如今已從過(guò)往三星獨(dú)家代工轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。報(bào)導(dǎo)稱，Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺(tái)積電3納米制程，芯片
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三星為智能手機(jī)攝像頭推出三款多功能圖像傳感器
- 6月27日，三星發(fā)布了三款專為智能手機(jī)主攝像頭和副攝像頭設(shè)計(jì)的新型移動(dòng)圖像傳感器：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。<三星半導(dǎo)體發(fā)布的ISOCELL HP9圖像傳感器，ISOCELL GNJ圖像傳感器，ISOCELL JN5圖像傳感器>隨著用戶對(duì)智能手機(jī)攝像頭質(zhì)量和性能的期望不斷提高，從各個(gè)角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此，三星半導(dǎo)體推出其最新的移動(dòng)圖像傳感器產(chǎn)品矩陣，讓消費(fèi)者從各個(gè)角度拍照，都能拍攝出滿意的圖像效果，為移動(dòng)手機(jī)攝影打開(kāi)了新天地。&q
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％
- 據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級(jí)NAND閃存的價(jià)格15～20％。 臺(tái)系內(nèi)存模塊大廠聞?dòng)嵎治觯谴伺e主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價(jià)行情，但合約價(jià)實(shí)際成交價(jià)格，仍需視市場(chǎng)供需而定。以位產(chǎn)出市占率來(lái)看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價(jià)格，調(diào)
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬(wàn)億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無(wú)根據(jù)
- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無(wú)根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無(wú)根據(jù)”，仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測(cè)距測(cè)試用例的采用鋪平道路
- 羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗(yàn)證了超寬帶（UWB）物理層的安全測(cè)距測(cè)試案例，并評(píng)估基于FiRa規(guī)范的設(shè)備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規(guī)范中，規(guī)定了新的測(cè)試用例，旨在防止對(duì)基于UWB技術(shù)的安全測(cè)距應(yīng)用進(jìn)行物理層攻擊。這些測(cè)試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無(wú)線電通信測(cè)試儀，在三星最新的UWB芯片組上進(jìn)行了驗(yàn)證。通過(guò)FiRa?聯(lián)盟驗(yàn)證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無(wú)線電通信測(cè)試儀已成為FiRa 2.0 PHY測(cè)試的認(rèn)證工具。成功驗(yàn)證物理層安全測(cè)試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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三星旗下Semes成功開(kāi)發(fā)出一種ArF-i光刻涂膠/顯影設(shè)備
- 6月24日，三星電子旗下的韓國(guó)半導(dǎo)體和顯示器制造設(shè)備公司表示，第一臺(tái)名為“Omega Prime”的設(shè)備已于去年供貨，Semes正在制造第二臺(tái)設(shè)備。Semes表示，在Omega Prime設(shè)備上應(yīng)用了噴嘴、烘烤溫度和機(jī)器人位置自動(dòng)調(diào)整系統(tǒng)，以消除涂布層的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂膠/顯影設(shè)備，并在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了ArF版本，以支持波長(zhǎng)更短的新型光刻機(jī)。
- 關(guān)鍵字： 三星 Semes ArF-i 光刻涂膠 顯影設(shè)備
三星介紹
韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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