三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)
3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無根據(jù)
- IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據(jù)”，仍在評估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測距測試用例的采用鋪平道路
- 羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗(yàn)證了超寬帶（UWB）物理層的安全測距測試案例，并評估基于FiRa規(guī)范的設(shè)備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規(guī)范中，規(guī)定了新的測試用例，旨在防止對基于UWB技術(shù)的安全測距應(yīng)用進(jìn)行物理層攻擊。這些測試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無線電通信測試儀，在三星最新的UWB芯片組上進(jìn)行了驗(yàn)證。通過FiRa?聯(lián)盟驗(yàn)證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無線電通信測試儀已成為FiRa 2.0 PHY測試的認(rèn)證工具。成功驗(yàn)證物理層安全測試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下：韓國最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫存積壓嚴(yán)重
- 6月25日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，自從美國對中國實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來，韓國最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重。韓國半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重，倉儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國開始限制對華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來，韓國半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進(jìn)封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報(bào)道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Galaxy S25 手機(jī)尚不明朗
- IT之家 6 月 21 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日報(bào)道稱，三星電子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未來能否用于 Galaxy S25 系列手機(jī)尚不明朗。韓媒報(bào)道指出，三星電子一般要到芯片良率超過 60% 后才會(huì)開始量產(chǎn)手機(jī) SoC，目前的良率水平離這條標(biāo)準(zhǔn)線還有不小距離。三星電子為 Exynos 2500 芯片量產(chǎn)定下的最晚時(shí)間是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部門還有一段時(shí)間提升下代旗艦自研手機(jī) SoC 的良率。如果到時(shí)良率仍然不足，那三
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英偉達(dá)、臺積、三星互搶 半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)
- 眼看人工智能（AI）市場需求快速擴(kuò)大，全球半導(dǎo)體業(yè)爭奪人才的競爭日益白熱化。韓媒披露，根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù)，AI芯片龍頭英偉達(dá)有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達(dá)挖來278人，還從臺積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達(dá)，還是最大贏家。 韓國朝鮮日報(bào)20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計(jì)，英偉達(dá)近日新進(jìn)員工有89人是從臺積電跳槽，反觀臺積電僅12名新進(jìn)人員是從英偉達(dá)跳槽。英偉達(dá)也有515名新進(jìn)員工是從三星電子
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三星新旗艦手機(jī)將棄自家芯片
- 三星下一代旗艦手機(jī)Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預(yù)期，導(dǎo)致無法出貨，而臺積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨(dú)家代工廠，可望跟著受惠。若上述消息成真，對韓國最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺積電車尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預(yù)期，可能導(dǎo)致無法出貨。而
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臺積電漲價(jià)卻滿手訂單 韓媒低頭認(rèn)三星2大敗筆
- 臺積電3納米產(chǎn)能供不應(yīng)求，預(yù)期訂單滿至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價(jià)調(diào)整上看5％以上，先進(jìn)封裝明年年度報(bào)價(jià)也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價(jià)三星并未獲得轉(zhuǎn)單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價(jià)格，而是高良率與先進(jìn)制程的可靠生產(chǎn)力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價(jià)仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達(dá)執(zhí)行長黃仁勛6月初在臺北國際計(jì)算機(jī)展期間，曾表示支持臺積電提高代工價(jià)格，并表示蘋果、高通等也將會(huì)接受臺積電漲價(jià)。由于臺積電3納米供應(yīng)嚴(yán)重短缺，產(chǎn)生繼續(xù)漲價(jià)的空間，報(bào)導(dǎo)續(xù)
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NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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AI人才爭奪戰(zhàn)白熱化！ 三星出招應(yīng)對員工跳槽英偉達(dá)
- 隨著AI風(fēng)潮席卷全球，相關(guān)人才爭奪戰(zhàn)已經(jīng)逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達(dá)更是許多工程師心中的夢幻企業(yè)。不過據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，在英偉達(dá)大力吸引韓國在內(nèi)的全球工程師之際，人才流失嚴(yán)重的三星電子也不甘示弱從英偉達(dá)挖角，連臺積電、美光與英特爾等半導(dǎo)體廠商都成為挖角對象。 韓國《朝鮮日報(bào)》以招聘平臺領(lǐng)英的數(shù)據(jù)所做的分析結(jié)果顯示，在英偉達(dá)的員工當(dāng)中，有515人（以加入領(lǐng)英為基準(zhǔn)）來自三星電子，而三星則從英偉達(dá)挖走278人。面對龐大的人才流失，三星除了從英偉達(dá)挖角，還從臺積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來自于
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三星殺進(jìn)英偉達(dá)后院？投資GPU撈過界
- 不當(dāng)AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元 （GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達(dá)正面競爭。業(yè)界認(rèn)為，此投資案可望強(qiáng)化三星在GPU領(lǐng)域競爭力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導(dǎo)體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。 韓媒Business Korea報(bào)導(dǎo)，三星投資GPU的細(xì)節(jié)并未對外揭露，但這次決策與以往專注于內(nèi)存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場人士解讀，這項(xiàng)投資是三星的內(nèi)部策略，目的在于利用GPU來提升半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，而不是要開發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計(jì)劃于2024年底開始分階段運(yùn)營。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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