三星 文章 進入三星技術(shù)社區(qū)
三星Galaxy Watch FE進軍入門智能手表市場
- 三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍寶石玻璃設計及亮眼外型、完善的運動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動通訊
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降低對臺積電的依賴！高通考慮臺積電三星雙代工模式
- 6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示，公司正在認真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
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拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術(shù)
- 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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三星公布芯片制造技術(shù)路線圖，增強AI芯片代工競爭力
- 據(jù)彭博社報道，當?shù)貢r間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術(shù)路線圖，以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預測，到2028年，其人工智能相關(guān)客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍。報道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關(guān)芯片的一系列布局。在其公布的技術(shù)路線圖中，一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網(wǎng)絡技術(shù)。據(jù)三星介紹，該技術(shù)與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時還能顯著降低電壓降。三星還強調(diào)了其在邏輯、內(nèi)存和先進封裝方面的綜合能力。三星認為，這將有助于公司贏
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進軍共封裝光學領域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術(shù)，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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三星電子宣布其首個背面供電工藝節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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英偉達黃仁勛反駁三星HBM3e有問題
- 近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。此前，三星也堅決否認有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達到英偉達質(zhì)量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機品牌市占率預估：三星50.4%，華為30.8%
- 2024年折疊手機出貨量約1,780萬部，占智能手機市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價的問題待解決，預計至2028年占比才有機會達到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機的先驅(qū)之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數(shù)，達12%。20
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新型存儲技術(shù)迎制程突破
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
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三星預先起訴Oura，以防范潛在專利糾紛
- 6月4日消息，據(jù)engadget報道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術(shù)競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動?！癘ura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內(nèi)的其他進入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權(quán)，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報道?！癘ura對Galaxy Rin
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三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年
- 據(jù)外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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一季度全球可穿戴腕帶設備蘋果、小米、華為分列前三
- Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內(nèi)的強勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
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臺積電領先中國大陸、美國多少？專家爆最短只剩2年
- 瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術(shù)從2028年起，每年提升生產(chǎn)力至少1%，同時他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術(shù)領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會中暢談全球經(jīng)濟脈動與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術(shù)屬于輕資本，且目前已經(jīng)有20%的個人計算機開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開始，生成式人工
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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