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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓代工

          臺(tái)積電拒絕接受STC.UNM的專(zhuān)利侵權(quán)指控

          •   臺(tái)積電日前表示,美國(guó)半導(dǎo)體公司STC.UNM針對(duì)公司的專(zhuān)利侵權(quán)指控是不實(shí)指控。   STC.UNM是新墨西哥大學(xué)(UniversityofNewMexico)旗下一家負(fù)責(zé)技術(shù)轉(zhuǎn)讓的公司。   臺(tái)積電在一份聲明中說(shuō),公司將積極應(yīng)訴,拒絕接受美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.InternationalTradeCommission)調(diào)查中的有關(guān)指控。   STC在6月底針對(duì)臺(tái)積電提起訴訟,指控臺(tái)積電進(jìn)口有侵權(quán)行為產(chǎn)品的做法有違專(zhuān)利法的規(guī)定,屬不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)行為。   STC說(shuō),這項(xiàng)專(zhuān)利指的是微影制程技術(shù)(l
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓代工  

          臺(tái)積電與ARM簽訂長(zhǎng)約 拓展28及20納米制程

          •   7月20日消息,晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電與ARM公司簽訂長(zhǎng)期合約,在臺(tái)積制程平臺(tái)上擴(kuò)展ARM系列處理器及實(shí)體智財(cái)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),并規(guī)劃共同拓展28納米與20納米制程。   雙方合作內(nèi)容包括,臺(tái)積將Cortex系列處理器及CoreLink AMBA協(xié)定系列完成制程最佳化實(shí)作。同時(shí),也將與ARM合作,開(kāi)發(fā)28奈米與20奈米制程嵌入式記憶體及標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)等實(shí)體智財(cái)產(chǎn)品。   臺(tái)積電研究發(fā)展副主管許夫傑表示,雙方合作預(yù)期將可強(qiáng)化開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)價(jià)值,并促進(jìn)整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈創(chuàng)新。而未來(lái)系統(tǒng)單晶片應(yīng)用客戶(hù),將獲致最佳的產(chǎn)品效能。
          • 關(guān)鍵字: ARM  晶圓代工  

          晶圓代工競(jìng)逐高階制程 設(shè)備大廠(chǎng)受惠

          •   晶圓代工搶攻高階制程市占率,積極擴(kuò)充產(chǎn)能,臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購(gòu)設(shè)備,帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰,包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺,不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾,2010年?duì)I收亦可望創(chuàng)佳績(jī)。   根據(jù)市場(chǎng)機(jī)構(gòu)估計(jì),到 2011年第4季時(shí),臺(tái)積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產(chǎn)能總和的年增率可大幅成長(zhǎng)約3倍。光是
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓代工  半導(dǎo)體設(shè)備  

          ASML整合微影方案獲意法采用

          •   受惠于晶圓代工與DRAM廠(chǎng)推出先進(jìn)制程,對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增,讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程,制程復(fù)雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。   ASML指出,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來(lái)越高昂,生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(zhǎng),良率更難提升,制程容許度(p
          • 關(guān)鍵字: ASML  DRAM  晶圓代工  

          臺(tái)積電中國(guó)松江8英寸Fab10工廠(chǎng)月產(chǎn)能將擴(kuò)增至6萬(wàn)片

          •   臺(tái)積電公司近日透露,為了滿(mǎn)足大陸市場(chǎng)的需求,公司將擴(kuò)增其設(shè)在上海松江的8英寸廠(chǎng)Fab10的產(chǎn)能。臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音表示,目前該工廠(chǎng)的月產(chǎn) 能為2萬(wàn)片(按8英寸計(jì)算),而公司的計(jì)劃是將其月產(chǎn)能增加到6萬(wàn)片,不過(guò)他并沒(méi)有透露產(chǎn)能增加計(jì)劃將于何時(shí)完成。   另注:   --WaferTech為臺(tái)積電在7年前于美華盛頓州設(shè)立的合資企業(yè)   --SSMC為臺(tái)積電在新加坡與NXP公司合資的公司   --TSMC China則為臺(tái)積電在中國(guó)上海成立的公司,文中所提8英寸Fab10工廠(chǎng)即屬此分公司
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          GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)

          •   繼晶圓代工大廠(chǎng)臺(tái)積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后,全球晶圓(Global Foundries)也在美國(guó)時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì)中宣布,投入EUV微影技術(shù),預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺(tái)導(dǎo)入位于美國(guó)紐約的12寸晶圓廠(chǎng)(Fab 8),將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。   由于浸潤(rùn)式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺(tái)與雙重曝光(double-patterning)技術(shù),讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米,不過(guò)浸潤(rùn)式微影機(jī)臺(tái)采用的是 193nm波長(zhǎng)的光源,走到22奈米已
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          臺(tái)積電資本支出將超越英特爾

          •   臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀看好半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣持續(xù)復(fù)蘇,決定加大12吋廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)力道,包括竹科Fab12第5期第4季投產(chǎn),南科Fab14明年上半年投產(chǎn),及中科 Fab15加速建廠(chǎng)等。設(shè)備商預(yù)估,臺(tái)積電應(yīng)會(huì)在月底法說(shuō)會(huì)中再度上修今年資本支出,以目前投資力道來(lái)看,有機(jī)會(huì)上看55億美元。若果達(dá)此水平,則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標(biāo)。   臺(tái)積電原本預(yù)期今年資本支出達(dá)48億美元,但今年以來(lái)12吋廠(chǎng)高階制程產(chǎn)能一直供不應(yīng)求,下半年雖然法人及分析師認(rèn)為景氣復(fù)蘇力道將趨緩,不過(guò)臺(tái)積電第3季先進(jìn)制程接單仍然滿(mǎn)載,第4季
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          TSMC超大型12英寸晶圓廠(chǎng)動(dòng)土 2012年投產(chǎn)

          •   TSMC于16日在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中科學(xué)園區(qū)舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(chǎng)(GIGAFABTM)--晶圓十五廠(chǎng)動(dòng)土典禮,為T(mén)SMC“擴(kuò)大投資臺(tái)灣”的承諾寫(xiě)下另一個(gè)重要的里程碑。   動(dòng)土典禮由TSMC張忠謀董事長(zhǎng)兼總執(zhí)行長(zhǎng)主持。張忠謀董事長(zhǎng)表示,科學(xué)園區(qū)在臺(tái)灣高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中,扮演關(guān)鍵的角色,也是TSMC之所以能夠“立足臺(tái)灣、放眼全球、在全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)光”的重要支持。過(guò)去二十幾年來(lái),TSMC陸續(xù)在竹科及南科茁壯成長(zhǎng),如今位于中科的晶圓十五廠(chǎng)開(kāi)始動(dòng)土興建,
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          X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠(chǎng)技術(shù)

          •   X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠(chǎng)及“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠(chǎng)工藝。它能用于電池管理,提供新類(lèi)型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類(lèi)與P類(lèi)雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
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          臺(tái)積電將建月產(chǎn)能10萬(wàn)片芯片廠(chǎng)

          •   臺(tái)積電位于臺(tái)中科學(xué)園區(qū)的12寸廠(chǎng)本周五(16日)舉行動(dòng)土典禮,將由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持。這座簡(jiǎn)稱(chēng)為“15廠(chǎng)”的12吋廠(chǎng),將朝月產(chǎn)能10萬(wàn)片的超大晶圓廠(chǎng)發(fā)展,為臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)增加增長(zhǎng)動(dòng)能,持續(xù)在全球芯片工產(chǎn)業(yè)拓大市占率。   臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在今年初說(shuō)明會(huì)中首度對(duì)外透露將在中科內(nèi)建全新的12寸芯片廠(chǎng),并預(yù)計(jì)今年中動(dòng)土,因此臺(tái)積電選在16日對(duì)外舉行動(dòng)土典禮。因動(dòng)土典禮將由張忠謀親自主持,預(yù)期他將對(duì)外說(shuō)明臺(tái)積電對(duì)15個(gè)廠(chǎng)的整體投資金額,具體的量產(chǎn)時(shí)程以及發(fā)展重點(diǎn)。   臺(tái)積電規(guī)劃,
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          臺(tái)積電第三間12英寸工廠(chǎng)Fab15本月16日舉行動(dòng)工儀式

          •   臺(tái)積電最近對(duì)外發(fā)放了一批動(dòng)工儀式邀請(qǐng)函,邀請(qǐng)函稱(chēng)該公司定于本月16日在臺(tái)灣臺(tái)中科技園區(qū)將舉辦其Fab15工廠(chǎng)的破土動(dòng)工儀式。據(jù)臺(tái)積電CEO張忠謀 今年4月份透露,臺(tái)積電Fab15工廠(chǎng)建成的初期將采用適合于40nm制程的規(guī)格進(jìn)行布置,不過(guò)未來(lái)這間工廠(chǎng)將負(fù)責(zé)為臺(tái)積電開(kāi)發(fā)28nm及更高級(jí)別的制程 技術(shù)。   除了興建Fab15工廠(chǎng)之外,臺(tái)積電同時(shí)還在積極發(fā)展其現(xiàn)有兩家12英寸工廠(chǎng)的制程技術(shù)。今年第三季度,臺(tái)積電Fab12工廠(chǎng)第五期擴(kuò)建工程將正式投入生產(chǎn)使用;而Fab14工廠(chǎng)的第四期擴(kuò)建工程也將于今年年底前
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          看好未來(lái)景氣 臺(tái)積電再征3000人

          •   晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電10日舉行2010年臺(tái)積家庭日活動(dòng),人力資源副總經(jīng)理杜隆欽指出,臺(tái)積電將再增聘3,000名員工,累計(jì)至目前為止,2010年臺(tái)積電已大舉征才8,000人,未來(lái)LED廠(chǎng)與薄膜太陽(yáng)能廠(chǎng)擴(kuò)建完成時(shí),人力依然會(huì)有缺口,因此臺(tái)積電將持續(xù)征才,他也指出,目前公司與員工間的溝通已有顯著提升。   7月10日也是臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀的79歲生日,不過(guò)張忠謀并未出席家庭日活動(dòng)。
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          臺(tái)灣晶圓代工西進(jìn)放行 兩岸半導(dǎo)體業(yè)巨變

          •   臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”對(duì)晶圓代工西進(jìn)首度松綁,投審會(huì)日前通過(guò)臺(tái)積電參股大陸晶圓廠(chǎng)中芯一案,為政府放行半導(dǎo)體西進(jìn)的首例,雖然臺(tái)積電并無(wú)參與直接經(jīng)營(yíng)的計(jì)劃,不過(guò)等于已牽制住未來(lái)中芯的策略布局,同時(shí)對(duì)聯(lián)電來(lái)說(shuō),有了臺(tái)積電的先例,未來(lái)合并和艦只是時(shí)間早晚的問(wèn)題。晶圓代工西進(jìn)腳步往前跨進(jìn)一大步,牽動(dòng)的將是未來(lái)兩岸的半導(dǎo)體市場(chǎng)版圖。   2009年臺(tái)積電向“經(jīng)濟(jì)部”提出申請(qǐng)參股中芯,原本市場(chǎng)認(rèn)為投審會(huì)通過(guò)的機(jī)率不大,不過(guò)在臺(tái)積電保證將維持制程技術(shù)兩個(gè)世代領(lǐng)先,并加速28納
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          臺(tái)積電6月?tīng)I(yíng)收363億3400萬(wàn)元新臺(tái)幣

          •   TSMC今(9)日公布2010年6月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告,就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,營(yíng)收約為新臺(tái)幣351億1,300萬(wàn)元,較今年5月增加了3.8%,較去年同期則增加了36.2%。累計(jì)2010年1至6月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣1,908億1,000萬(wàn)元,較去年同期增加了74.2%。   就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,2010年6月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣363億3,400萬(wàn)元,較今年5月增加了4.4%,較去年同期則增加了37.0%。累計(jì)2010年1至6月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣1,971億4,900萬(wàn)元,較去年同期增加了73.4%。 TSMC營(yíng)收?qǐng)?bào)告(非
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          芯片缺貨無(wú)解 交期拖到20周

          •   歐盟主權(quán)債信問(wèn)題未獲解決,歐美日等先進(jìn)國(guó)家失業(yè)率仍居高不下,在手機(jī)廠(chǎng)及筆電廠(chǎng)陸續(xù)傳出下修出貨量消息后,法人圈對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣已由樂(lè)觀(guān)轉(zhuǎn)趨悲觀(guān)。不過(guò),根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli及通路商表示,部份模擬及電源管理IC、數(shù)字邏輯芯片、內(nèi)存等供給仍吃緊,除了價(jià)格持續(xù)調(diào)漲,第2季末交期已拉長(zhǎng)到 18至20周,第3季零組件缺貨陰霾仍然存在。   由于市場(chǎng)上半導(dǎo)體產(chǎn)能調(diào)配不均,且部份大型IDM廠(chǎng)在金融海嘯后關(guān)閉自有6吋或8吋廠(chǎng)后,至今仍沒(méi)有打算重啟運(yùn)作,在景氣處于復(fù)蘇狀態(tài)的此時(shí),因?yàn)榫A代工廠(chǎng)及封測(cè)廠(chǎng)的新增產(chǎn)能無(wú)法
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          晶圓代工介紹

          晶圓代工或晶圓專(zhuān)工(Foundry),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一種營(yíng)運(yùn)模式,專(zhuān)門(mén)從事半導(dǎo)體晶圓制造生產(chǎn),接受其他IC設(shè)計(jì)公司委托制造,而不自己從事設(shè)計(jì)的公司。有些擁有晶圓廠(chǎng)的半導(dǎo)體公司,如英特爾(Intel)、AMD等,會(huì)因產(chǎn)能或成本等因素,也會(huì)將部份產(chǎn)品委由晶圓代工公司生產(chǎn)制造。臺(tái)積電、聯(lián)電為世界排名第一與第二的晶圓代工公司。反之,專(zhuān)門(mén)從事IC電路設(shè)計(jì)而不從事生產(chǎn)且無(wú)半導(dǎo)體廠(chǎng)房的公司稱(chēng)為無(wú)廠(chǎng)半導(dǎo)體公司(Fa [ 查看詳細(xì) ]

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