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閩第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線落戶福州 總投資30億
- 17日中午，《8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項目投資合同書》簽訂儀式在福州舉行。該項目由福州市人民政府、福建福順微電子有限公司、福建省投資開發(fā)集團(tuán)有限公司和福建省電子信息集團(tuán)有限公司共同建設(shè)，總投資30億元，占地面積331畝。這是福建省第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線。 項目分二期進(jìn)行，一期投資10億元，占地77.23畝，選址位于閩侯南嶼生物醫(yī)藥和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，主營大功率、高電壓的集成電路芯片，投產(chǎn)后可形成年產(chǎn)8英寸0.25微米至0.35微米IC芯片24萬片的生產(chǎn)能力。預(yù)計第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線將于今年8月底
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我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭減弱
- 2012第一季度中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為351.24億元，同比增長0.8%;產(chǎn)量為215.4億塊，同比增長0.7%。其中，IC設(shè)計業(yè)繼續(xù)保持較快增長，銷售額為90.72億元，比2011年同期增長了21.5%;芯片制造業(yè)銷售額為104.8億元，同比下滑7.1%;封裝測試業(yè)銷售額為155.72億元，同比下滑3.1%。 進(jìn)入2012年以來，IC設(shè)計業(yè)繼續(xù)保持了多年來快速發(fā)展的勢頭，繼續(xù)領(lǐng)跑集成電路產(chǎn)業(yè)。但芯片制造業(yè)下降明顯，其主要原因在于多年來芯片制造業(yè)投資強(qiáng)度和動力不足，呈現(xiàn)出斷斷續(xù)續(xù)的癥狀?，F(xiàn)已經(jīng)
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2011年工業(yè)半導(dǎo)體芯片廠商排名 英飛凌居首
- Semicast研究公司的分析師ColinBarnden基于最新研究結(jié)果表示，英飛凌科技是2011年最大的工業(yè)半導(dǎo)體芯片廠商。 Semicast的研究報告顯示，在這個約值324億美元的市場上，英飛凌居首，德州儀器，意法半導(dǎo)體，ADI公司和瑞薩電子排在其后。 過去兩年來，工業(yè)半導(dǎo)體市場增長了50%，主要受益于模擬IC，LED及功率分立元件營收的高額增長。Semicast報告指出，自2008年來，工業(yè)芯片領(lǐng)域的銷售額已超過汽車電子領(lǐng)域。 Barnden指出，2011年，英飛凌以約26億美
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集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展受阻 投資強(qiáng)度和動力不足
- 進(jìn)入2012年以來，IC設(shè)計業(yè)繼續(xù)保持了多年來快速發(fā)展的勢頭，繼續(xù)領(lǐng)跑集成電路產(chǎn)業(yè)。但芯片制造業(yè)下降明顯，其主要原因在于多年來芯片制造業(yè)投資強(qiáng)度和動力不足，呈現(xiàn)出斷斷續(xù)續(xù)的癥狀?，F(xiàn)已經(jīng)以芯片制造業(yè)銷售額下滑、在世界FOUNDRY份額降低、與世界先進(jìn)工藝水平落差重新拉大等方式顯現(xiàn)，再考慮到世界經(jīng)濟(jì)總體上的不確定性和我國信息產(chǎn)業(yè)制造業(yè)面臨的可能下滑的不確定性，將可能使我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭受阻。 據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會最新公布的集成電路產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2012第一季度中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為351
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日本研發(fā)出光集成電路陣列助力長距離通信
- 隨著網(wǎng)上新業(yè)務(wù)不斷涌現(xiàn)，特別是以iPhone為代表的智能手機(jī)和以iPad為代表的平板電腦等智能終端的出現(xiàn)，還有以IPTV為代表的網(wǎng)絡(luò)視頻的風(fēng)行，使光纖傳輸網(wǎng)承載的數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，速率越來越高，傳輸設(shè)備也向光集成(光IC)方面發(fā)展，人們在不斷為減少光電轉(zhuǎn)換次數(shù)、減少設(shè)備體積和功耗、提高施工效率而努力。特別值得一提的是，目前光纖陣列已商品化，而成為光IC核心的光變換器陣列，也即將商用，特別值得關(guān)注。 光纖陣列(見圖1)是為讓光纖整齊排列在一起的器件，它是光通信中為了傳輸光信號而使用的核心器件之一
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3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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