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          內(nèi)存芯片識(shí)別方法
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-04-03
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無字母=Bits
          ，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54
          針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13
          FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA
          ，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP
          （第二代），U=μ BGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)
          號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V
          Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。
          　
          （5）SEC（Samsung Electronics，三星）
          　
          　　 三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表
          RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、
          8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256
          [254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）
          ；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星
          
				
          
					
					
		  			
		  			
					
				
          
			
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
		
          
		
          
		
          
		
          
			
			
          
		
          
		
		
          
		
          
			
			
		
          
        
		
          
			
          關(guān)鍵詞：
            			            內(nèi)存芯片
                        識(shí)別方法
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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