內(nèi)存芯片識(shí)別方法
(200Mbps))。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片,3.3V DDR SDRAM,刷新時(shí)間0 =
64m/4K (15.6μs),內(nèi)存芯片排數(shù)為4排(兩面各兩排),接口電壓
LVTTL+SSTL_3(3.3V),封裝類型66針TSOP
Ⅱ,速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示:KM表示三星內(nèi)存;4代表
RAM種類(4=DRAM);18代表內(nèi)存芯片組成x18(16 = x16、18 = x18);RD表示
產(chǎn)品類型(RD=Direct RAMBUS DRAM);8代表內(nèi)存芯片密度8M(4 = 4M、8 = 8M
、16 = 16M);C代表封裝類型(C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL
-CSP);80代表速度(60 = 600Mbps、80 = 800Mbps)。即三星8M*18bit=144M,
BGA封裝,速度800Mbps。
(6)Micron(美光)
Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一(如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存
評(píng)論