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          內(nèi)存芯片識別方法

          作者: 時間:2012-04-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          R: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 3em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">2代內(nèi)存,自動刷新,速度是10ns(100 MHz)。
           
          三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM格式如下:
           
            Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
            Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
            三星DDR同步DRAM編號例如KM416H4030T表示:KM表示三星內(nèi)存;4代

          表RAM種類(4=DRAM);16表示組成x16(4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

          );H代表內(nèi)存電壓(H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]);4代表內(nèi)存密

          度4Mbit(4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =

          256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G);0代表刷新(0 = 64m/4K

          [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

          s]、4 = 128m/16K[7.8μs]);3表示內(nèi)存排數(shù)(3=4排、4=8排);0代表接口電

          壓(0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V));T表示封裝類型(T=66

          針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP));Z代表速度133MHz(5 = 5ns, 200MHz

          (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =



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