內(nèi)存芯片識(shí)別方法
DDR SDRAM(x4,x8,x16)時(shí)鐘率 @ CL=2.5
-8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz
(B)Rambus(時(shí)鐘率)
-4D=400MHz 40ns,-4C=400MHz 45ns,-4B=400MHz 50ns,-3C=356MHz 45ns
,-3B=356MHz 50ns,-3M=300MHz 53ns
+的含義
-8E支持PC66和PC100(CL2和CL3)
-75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3)
-7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3)
-7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)
(C)DDR SDRAM
-8支持PC200(CL2)
-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)
-7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM,
16M8=16*8MB=128MB,133MHz
(7)其它內(nèi)存芯片編號(hào)
NEC的內(nèi)存芯片編號(hào)例如μPD4564841G5-A80-9JF表示:μPD4代表NEC的產(chǎn)品
;5代表SDRAM;64代表容量64MB;8表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8
位、16位、32位,當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí),使用兩位);4代表Bank數(shù)(3或4
代表4個(gè)Bank,在16位和32位時(shí)代表2個(gè)Bank;2代表2個(gè)Bank);1代表LVTTL(如
為16位和32位的芯片,則為兩位,第2位雙重含義,如1代表2個(gè)Bank和LVTTL,3代
表4個(gè)Bank和LVTTL);G5
評(píng)論