內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR
SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，
V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits
（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)
據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery
［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，
F=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，
FQ=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，
R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，
空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類：
（A）DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（時(shí)鐘率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-
評(píng)論