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          內(nèi)存芯片識(shí)別方法

          作者: 時(shí)間:2012-04-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          : 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">代表內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成(1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank,是2的

          冪次關(guān)系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表內(nèi)核版本

          (可以為空白或A、B、C、D等字母,越往后代表內(nèi)核越新);k代表功耗(L=低功

          耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-

          Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],

          8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],

          10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
           
            例如HY57V658010CTC-10s,HY表示現(xiàn)代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和

          4K refresh cycles/64ms,8是8位輸出,10是2個(gè)Bank,C是第4個(gè)版本的內(nèi)核,TC

          是400mil TSOP-Ⅱ封裝,10S代表CL=3的PC-100。
           
            市面上HY常見(jiàn)的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中

          ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難;編號(hào)ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也



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