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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 內(nèi)存芯片識別方法
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          內(nèi)存芯片識別方法
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-04-03
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的
          冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本
          （可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功
          耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-
          Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，
          8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，
          10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
          　
          　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和
          4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC
          是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
          　
          　　市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中
          ATC10編號的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也
          
				
          
					
					
		  			
		  			
					
				
          
			
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
		
          
		
          
		
          
		
          
			
			
          
		
          
		
		
          
		
          
			
			
		
          
        
		
          
			
          關(guān)鍵詞：
            			            內(nèi)存芯片
                        識別方法
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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