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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 內(nèi)存芯片識(shí)別方法
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          內(nèi)存芯片識(shí)別方法
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-04-03
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          　　TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號(hào)例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；
          59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容
          量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位
          、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT后如有字母L=低功耗，
          空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns
          ［100MHz CL=3］）。
          　
          　　IBM的內(nèi)存芯片編號(hào)例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代
          表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）
          ；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns
          ［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或
          322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為
          
				
          
					
					
		  			
		  			
					
				
          
			
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
		
          
		
          
		
          
		
          
			
			
          
		
          
		
		
          
		
          
			
			
		
          
        
		
          
			
          關(guān)鍵詞：
            			            內(nèi)存芯片
                        識(shí)別方法
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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