內(nèi)存芯片識(shí)別方法
作者：
時(shí)間：2012-04-03
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過(guò)注冊(cè)?！?span id="pzlvxfl" class=Apple-converted-space>
2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式
威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133
CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD
；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在
133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。
PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示
標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類(lèi)型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖
區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表
示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)
表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表
5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0?！?BR>3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式
其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-253
評(píng)論