內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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M后的**表示數(shù)據(jù)的位寬；4，8，16，32分別代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，將M前的**和其后的**相乘，得到的結(jié)果為容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG為TSOP II 封裝，LG為TGFP封裝；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*為A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。
如何根據(jù)內(nèi)存芯片標(biāo)識(shí)識(shí)別內(nèi)存(二)
---- 許多朋友都會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，在購(gòu)買內(nèi)存時(shí)不知如何識(shí)別內(nèi)存的品牌、類型、容量、速度等參數(shù)。許多人都認(rèn)為內(nèi)存不經(jīng)過(guò)主板或?qū)Ｓ脵z測(cè)儀檢測(cè)難于識(shí)別，在此我們特為大家提供如下解讀內(nèi)存條的方法。鑒于篇幅限制，這里僅以市場(chǎng)上最常見(jiàn)的現(xiàn)代內(nèi)存、LG內(nèi)存以及KingMax內(nèi)存為例進(jìn)行說(shuō)明。
一、現(xiàn)代SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別
---- 現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:
HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
---- “HY”表明是現(xiàn)代的產(chǎn)品。
---- ①代表的是內(nèi)存芯片種類: “51”為EDO，“57”為SDRAM，“5D”為DDR SDRAM。
---- ②代表工作電壓: “U”為2.5V，“V”為3.3V，空白代表5V。
---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。
---- ④代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分別代表輸出數(shù)據(jù)位寬為4位、8位、16位和32位。
---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: 其中“1”、“2”、“3”分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank。
---- ⑥代表內(nèi)存接口: 一般為“0”，代表LVTTL接口。
---- ⑦代表內(nèi)存版本號(hào): 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。
---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片。
---- ⑨代表封裝類型: 其編號(hào)與封裝類型的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:
“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD
---- ⑩代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:
“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)
二、LG SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別
---- LG公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下:
GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
---- “GM”代表LG的產(chǎn)品。
---- “72”代表SDRAM。
---- “V”代表工作電壓為3.3V。
---- ①代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2所示。
---- ②代表數(shù)據(jù)位寬: 其中“4”、
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