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中國首屆3D電子競技盛典9月3日登陸水立方
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- 中國首屆3D電子競技盛典將于9月3日至4日在北京國家游泳館(簡稱“水立方”)盛大召開。本次盛典由世界領(lǐng)先的面板制造商LG Display主辦,攜手宏基、友達(dá)、長虹、海爾、海信、LG電子、康佳、聯(lián)想、創(chuàng)維,TCL等十大電視及IT企業(yè),共同為中國廣大消費(fèi)者首次帶來3D游戲的炫酷體驗(yàn)。全新一代3D技術(shù)——不閃式3D (Film Patterned Retarder,英文縮寫為“FPR”)的發(fā)明者,LG Display希望通過本次3D電子競技盛典,為中國消費(fèi)者帶來世界一流的3D視效,為中國3D相關(guān)行業(yè)帶來最前沿的
- 關(guān)鍵字: LG 3D
LED驅(qū)動(dòng)IC現(xiàn)狀及趨勢 熱管理不容忽視
- 在過去,發(fā)光二極管(LED)僅僅被用作指示燈。其功耗低、電流更低,而且所產(chǎn)生的熱量也不是問題。然而,時(shí)代已經(jīng)...
- 關(guān)鍵字: LED驅(qū)動(dòng) IC 趨勢 熱管理
詳解電動(dòng)汽車中的電池組監(jiān)控IC
- 電池芯、超級(jí)電容和燃料電池芯都需要小心監(jiān)護(hù),以擴(kuò)展諸如電動(dòng)汽車和混合型汽車中的能源存儲(chǔ)系統(tǒng)的使用范...
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車 電池組監(jiān)控 IC
藍(lán)牙技術(shù)成為松下三星索尼及XPAND3D眼鏡的標(biāo)準(zhǔn)
- 松下、三星電子、索尼和XPAND昨日(8月9日)聯(lián)合宣布與藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth SIG)進(jìn)行合作,開發(fā)一個(gè)用于主動(dòng)式3D眼鏡的藍(lán)牙無線技術(shù)連接系統(tǒng)。這項(xiàng)名為“全高清3D眼鏡行動(dòng)”(FULL HD 3D GLASSES INITIATIVE)的合作計(jì)劃,將推進(jìn)主動(dòng)式3D眼鏡技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)的制定。藍(lán)牙技術(shù)提供穩(wěn)定、高效及高性能體驗(yàn),同時(shí)突破直線對傳要求的限制,讓主動(dòng)式3D眼鏡用戶實(shí)現(xiàn)更大的活動(dòng)自由度。此外,開發(fā)出來的3D眼鏡將與多個(gè)知名電視機(jī)品牌的產(chǎn)品互相兼容。
- 關(guān)鍵字: 三星 3D
藍(lán)牙技術(shù)成為松下、三星、索尼及XPAND主動(dòng)式3D眼鏡標(biāo)準(zhǔn)
- 松下、三星電子、索尼和XPAND聯(lián)合宣布與藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth SIG)進(jìn)行合作,開發(fā)一個(gè)用于主動(dòng)式3D眼鏡的藍(lán)牙無線技術(shù)連接系統(tǒng)。這項(xiàng)名為“全高清3D眼鏡行動(dòng)”(FULL HD 3D GLASSES INITIATIVE)的合作計(jì)劃,將推進(jìn)主動(dòng)式3D眼鏡技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)的制定。藍(lán)牙技術(shù)提供穩(wěn)定、高效及高性能體驗(yàn),同時(shí)突破直線對傳要求的限制,讓主動(dòng)式3D眼鏡用戶實(shí)現(xiàn)更大的活動(dòng)自由度。此外,開發(fā)出來的3D眼鏡將與多個(gè)知名電視機(jī)品牌的產(chǎn)品互相兼容。
- 關(guān)鍵字: 藍(lán)牙 3D
最新全能數(shù)控電源IC-ADP1043A(二)
- 摘要:隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展和成熟,電源產(chǎn)品更多地向數(shù)字化方向發(fā)展。采用數(shù)字技術(shù)可減小電源高頻諧波干擾和非線性失真,同時(shí)便于CPU數(shù)字化控制。文中重點(diǎn)介紹了ADP1043A的功能、原理及具體應(yīng)用細(xì)節(jié)。ADP1043A的創(chuàng)新架
- 關(guān)鍵字: IC-ADP1043A 電源 數(shù)控 全能 最新
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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